2020年存储器市场预测：价格持平、技术进展有限

展望2020年的记忆体市场，DRAM和快闪记忆体的价格是否会再次飙升？新兴记忆体终于要崛起了吗？中国的雄心会开始得到报酬吗？还有哪些记忆体技术可用？

2019年的记忆体市场环境因DRAM和NAND价格下滑受到很大影响；市场研究机构Objective Analysis首席分析师Jim Handy预期，2020年该市场将保持平稳，不过DRAM因为价格暴跌而为利润率带来了巨大压力。Handy指出，DRAM价格可能还会进一步下跌：“预计2020年NAND快闪记忆体价格将上扬5%，但DRAM将下滑25%，这将会是好坏参半的一年。但尘埃落定之后，我们认为2020年记忆体市场仍将持续供过于求。”

当前记忆体价格低廉意味着新兴记忆体的机会不多，因DRAM和快闪记忆体完全可以满足需求。Handy认为：“新兴记忆体仍然需要经过漫长而艰苦的奋斗，才能与主流记忆体竞争；”而且，根据制造商的产品蓝图，DRAM和NAND快闪记忆体都还有很大的发展空间，这两者都不会很快退出市场。

市场研究机构Objective Analysis在年秋季发布的一份报告推测，若将中国从亚太区中划分出来，中国半导体的月销售量如上图所示。但是，新型冠状病毒疫情现可能会在短期内影响中国的记忆体量产计划。

IHS Markit总监Michael Yang也认为新兴记忆体今年不太可能蓬勃发展：“新兴记忆体技术仍面临诸多障碍；”挑战包括规模化好让成本降低到合理的价格点、以进入更多应用领域，而在此同时，大多数情况下，DRAM与快闪记忆体仍将继续按照其技术蓝图取得进展。可预期的是，大部份供应商的128层快闪记忆体已经整装待发，但是无论快闪记忆体或DRAM都不会有太大幅度的扩产。从历史发展来看，记忆体新技术的变革并不那么激进，特别是DRAM，任何记忆体新技术都是小幅进展。

介于新兴记忆体和现有成熟技术产品之间的是3D Xpoint技术，主要产品为英特尔(Intel)的Optane SSD和DIMM；美光(Micron)曾与英特尔共同开发这项技术，但现在出力较少。Yang表示，英特尔一直在积极宣传Optane的价值，“但我认为大多数人仍在观望；”他认为，Optane的主要障碍在于构建生态系统，仅提供客户样品以进行评估是不够的，还要包括硬体、软体、韧体，以及来自晶片组、处理器和目标应用的支援：“很遗憾，这是生态系统挂帅的市场。”

Yang表示，相较于其他新兴记忆体，Optane更具潜力，并且可能在产量方面领先，但必须解决成本难题。“价格是一个重要的考量因素，客户是否购买取决于他想为能取得的性能付出多少；”他指出：“DRAM价格已经下降到非常合理的水准，Optane不具备任何价格优势。”

另一家市场研究机构Forward Insights首席分析师Gregory Wong则认为，2019年是Optane的商用元年，首度拥有具意义的出货量；但他也承认，价格是一个因素，特别是因为DRAM价格暴跌。“我们还未看到3D XPoint的价格出现类似情形；”Wong指出还有一个变数是美光正出货3D Xpoint SSD，但对于到目前为止市场需求仍低于期望值的技术，只能静观其变。

较低的DRAM价格可能会限制市场对英特尔Optane DIMM的采用，较低的3D NAND价格则可能影响SSD的采用。Wong表示：“当NAND快闪记忆体价格低廉时，必须有非常具说服力的应用案例，来支持昂贵的同类产品。而且如果NAND价格降到很低，采购者就可能会超量配置，会存在一个舒适圈。”

至于其他新兴记忆体，Wong认为ReRAM作为高密度记忆体，今年不会有什么建树，而可能在嵌入式应用中成为一种可行的低功耗替代方案。此外尽管MRAM也面临一些固有挑战，独立型产品可能在2020年取得更多机会；“MRAM并不很适合记忆体阶层(memory hierarchy)，目前其性能不如DRAM，价格却更昂贵。而因为MRAM属于持久性记忆体，基本上只有一些利基型应用才能接受其高成本。”

不过并非所有人都对MRAM抱持乐观态度。美商应用材料(Applied Materials)半导体产品部门记忆体技术管理总监Gill Lee就认为，尽管人们热烈讨论MRAM的潜力，但此技术在今年不会有很大突破。“MRAM仍主要被用来取代微控制器中的嵌入式快闪记忆体；”他还认为，DRAM和NAND的低价格将限制3D Xpoint的普及，而英特尔正努力藉由Optane产品来驱动3D Xpoint的发展。

由于供过于求而导致的低价格也往往意味着制造商的资本支出会较少，但Lee指出，三星电子(Samsung)在去年底宣布将在中国西安的记忆体工厂追加投资80亿美元，这是前景看好的投资案例。他进一步乐观估计，5G布署将为资料中心带来更多流量；“基本上，资料中心是记忆体晶片的大户。”(不过，Objective Analysis的Handy对此持谨慎态度，他虽然也认为5G是今年的重头戏，但还得看消费者是否急于购入5G新手机。)

5G与4G的融合预期将推动电信设备和资料中心对固态储存和记忆体的需求。

然而在DRAM和NAND快闪记忆体的制程微缩上，Lee认为从技术角度看不到任何重大进展；“具成本效益的制程微缩是最大挑战，”任何技术更迭的速度都与价格密切相关。他指出：“如果价格下降压力持续存在，节点转换将非常具挑战性；一旦开始转换节点，庞大成本也将会逐渐微缩，但仍然需要资本投资。”

Handy表示，有鉴于建立新晶圆厂的成本增加快速且侵蚀利润，对资本投资的需求可能会导致DRAM领域出现整并；“如果还有外来者准备加入市场，将会为现有供应商带来更大的整并压力；”这些新进入者可能来自中国大陆。

除了价格压力和技术演进，全球经济景气和贸易关系也将成为影响2020年记忆体市场的主要因素，包括中国积极建立自有产能以降低对海外供应商的依赖。IHS的Yang表示，无论美国要提高多少关税，可预期中国将变得更强大，因为贸易紧张局势助长了中国在记忆体市场的雄心；“他们认为这是必行之路，中国无疑会用自己的方式成为每个市场上更强的参与者，也许不会在2020年发生，但在2021年及以后一定能看得到。”

笔者在完成以上采访时，新型冠状病毒疫情尚未成为一个影响因素，但现在看来已经产生短期性的经济冲击，因为供应链随时可能中断。此外，英国脱欧(Brexit)以及中美之间悬而未决的紧张局势，无疑也将成为影响2020年的不稳定因素。