Hynix DDR5-8400单条 128GB内存年底前量产

在 CES 2020 大会上，SK Hynix 曾展示过全新 64GB 容量的“ DDR5 RDIMM ECC”记忆体实物，官方给出的资料传输速率为4800MHz，性能比现在的 DDR4 记忆体高出不少，SK-Hynix 日前再公布了有关即将推出的 DDR5 记忆体的更新，最高可达 8400MHz、最大密度为 64Gb，新的 DDR5 记忆体将会在今年量产，绝对是一个让人振奋的消息。

目前主流 PC 电脑平台使用的记忆体规格为 DDR4，不过各大 DRAM 厂已经进入并即将量产下一代 DDR5 记忆体的晶片，早在 2018 年 11 月，SK-Hynix 就宣布开发了业界首个基于 JEDEC 标准的 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM，SK Hynix 官方的资料显示，2013 年由 DDR3 转到 DDR4 的时代，记忆体频宽增加了 33%，而在即将到来的 DDR5 时代，SK Hynix 的目标是使每个 DIMM 的频宽增加 50% 以上。

SK-Hynix 最新就公布了关于即将推出的 DDR5 记忆体的更资料，新的 DDR5 标准非常灵活，规格表中提到，DDR5 的记忆体速度范围涵盖了 3200MHz 至 8400 MHz。相比之下，DDR4 记忆体普遍介乎 1600MHz 至 3200MHz 的速度范围，当然亦有制造商推出高达 5000MHz 的 DDR4 记忆体，但数量不算多。

虽然 DDR5 最低速度为 3200 MHz，但目前看来 DRAM 厂比较着重开发 DDR5-4800MHz 以上，单组 DDR5 晶片的密度为8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb，是 DDR4 晶片最大容量的四倍。因此，在使用 24Gb 及 32Gb 密度的 DRAM，将可以制造出 24GB 或 48GB 容量的 DDR5，而使用 64Gb 密度 DRAM，单个 DIMM 上最大就可制造出 64GB 容量 DDR5 记忆体，具体取决于记忆体供应商是否要采用双容量路线。

除了容量和速度方面的改进之外，最大的变化之一可能是对记忆体 ECC 错误纠正代码支援的添加。现在，此功能已不像 DDR4 一样专用于特殊的晶片，而是内置于每个晶片中。DDR5 记忆体晶片区块亦由 DDR4 的 16Banks 提升到 32Banks，共分为 X4/X8 的储存区组，旨在提供尽可能多的频宽。

其它参数也均有明显改进，两个关键电压 VDD/VDDq 及 VPP 分别从 1.2V、2.5V 降至 1.1V、1.8V，总功耗降低了 20%，透过重新设计反馈平衡电路解决杂讯，可进一步缓解高频下的发热量，以实现引脚频宽的增加。

在技术研发方面，DDR5 记忆体的工作是已经完成了，并已开始预研 DDR6 记忆体，虽然目前业界仍未统一 DDR6 的规范，不过之前的消息指 DDR6 的预期速率为 12Gb/s，因此可以达成 DDR6-12000 记忆体。