长江存储新厂动工 产量将增3倍

据台媒报道，日经新闻、中新网报导，长江存储以武汉为大本营，20日该公司在武汉举行开工典礼。记忆体制造商长江存储，近来动工兴建二期新厂，目标月产量提高三倍，以减少对美国半导体的依赖。

长江存储2019年起开始量产记忆体，一期产量为每月10万片，二期工厂完工后，产量将增至每月30万片。该公司第一、二期投资总额为240亿美元，业界密切关注新厂制造设备进口和安装过程，能否顺利进行。

中国成立了三家半导体公司，生产中国自制晶片，长江存储是其中之一，以供应NAND flash为主。今年4月长江存储宣布，成功研发出128层3D NAND。

若陆代工厂用长江存储产品 有望颠覆NAND市占
Semiconductor Engineering 22日报导，中国多数记忆体都仰赖进口，为了改善此种情况，中国开始发展记忆体，长江存储跨足3D NAND、长鑫存储则生产DRAM。去年长江存储首次成功出货64层3D NAND，今年4月还宣布研发出128层3D NAND。目前长江存储技术仍落后同业，国际业者主要生产92/96层的3D NAND、并增产112/128层3D NAND。

尽管如此，长江存储有能力撼动中国市场。该公司记忆体已经用于陆厂生产的USB卡和固态硬碟(SSD)，TechInsights分析师Jeongdong Choe说，如果中国OEM代工厂采用长江存储科技，“该公司有望颠覆NAND市占”。

但是陆厂要在国际记忆体市场占有一席之地，仍有很长的路要走。IC Insights董事长Bill McClean说：“IC Insights高度怀疑，未来十年中国能否发展出具竞争力的本土记忆体产业，以满足中国的记忆体IC需求”。非记忆体晶片，如类比、逻辑、混合讯号、射频(RF)晶片也是如此，McClean指出：“陆厂要在非记忆体市场具有竞争力，将花费数十年时间”。