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提高自给率!中国紫光传年内兴建 DRAM 新厂、2022 年量产

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-06-29
中国半导体大厂紫光集团传出将在今年打造 DRAM 新工厂、力拚 2022 年量产,期望藉由增加中国境内自给的半导体种类,提高自给率、降低对海外的依赖。

紫光目前已量产 NAND 型快闪记忆体(Flash Memory),旗下长江存储(YMTC)今年 4 月宣布,成功研发出堆叠 128 层的 3D NAND Flash 产品。
日经新闻 27 日报导,据多位关系人士指出,紫光集团将在今年内着手兴建 DRAM 新工厂,目标在 2022 年开始量产。美中对立情势加剧下,紫光期望藉由增加中国境内能够自给的半导体种类,减低对海外的依赖度。
据报导,紫光 DRAM 新厂将坐落于重庆市,原先计划 2019 年底动工,不过受肺炎等因素影响延迟。目前因位于日本、从事 DRAM 设计业务的子公司正式营运,因此力拚今年内动工兴建,新厂产能规模等细节虽不明,不过据关系人士指出,紫光计划 10 年间对 DRAM 事业投资 8,000 亿人民币。
不过紫光 DRAM 新厂之后能否顺利量产,仍将受美中关系动向左右,主因生产具竞争力的 DRAM 产品就需要用到美国制生产设备,而美国禁止供应使用美国先进技术的产品给部分中国企业,因此若之后美中对立进一步加剧,恐将对紫光造成影响。
中国 2015 年发表高科技产业振兴对策“中国制造 2025”,将半导体定为重点产线,目标 2020 年将半导体自给率从当前的未满 20% 提高至 40%,2025 年进一步提高至 70%。