半导体：不让你制造，只准跟我买！
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-09-27
据台湾媒体报道，被视为中国半导体产业最成功的代表厂商之一的长江存储，在2018年研发出32层3D NAND Flash，近年来采Xtacking架构加速推进制程脚步
美国制裁中国科技厂为美国供应商开后门，改变市场对华为禁令对半导体产业冲击的预期，将有利增加资金回补台湾地区半导体股的意愿，甚至提前反映新禁令转单利多的预期，给予族群股价一个落底向上的新契机！
美国制裁中国科技厂为美国供应商开后门，改变市场对华为禁令对半导体产业冲击的预期，将有利增加资金回补台湾地区半导体股的意愿，甚至提前反映新禁令转单利多的预期，给予族群股价一个落底向上的新契机！
9月15日华为禁令正式生效后，AMD副总裁Forrest Norrod 19日举行在德意志银行技术会议上，暗示已获得美国的华为禁令许可证能够顺利出货，预期目前的情势不会对业务产生重大影响。英特尔21日也证实，同样获得许可证，继续推动与华为合作的华为笔电专案。
制裁大逆转，只为分杯羹？
超微、英特尔主要都是供应华为笔电与伺服器相关零组件，并非美方打压华为在5G相关领域的重点，加上全球笔电缺货，此时封杀两大CPU厂出货华为，等于断了美国厂抢钱的机会。此举被市场视为川普大举封杀华为的同时，也会顾及美企利益，若接下来传出记忆体厂美光获得许可也就不用太意外。
超微、英特尔主要都是供应华为笔电与伺服器相关零组件，并非美方打压华为在5G相关领域的重点，加上全球笔电缺货，此时封杀两大CPU厂出货华为，等于断了美国厂抢钱的机会。此举被市场视为川普大举封杀华为的同时，也会顾及美企利益，若接下来传出记忆体厂美光获得许可也就不用太意外。
另一个制裁大逆转则出现在20日生效的TikTok和微信禁令，赶在最后一刻宣布将会通过和甲骨文、沃尔玛合作的协议入股20％，未来以成立独立公司TikTok Global继续在美国营运，川普对TikTok的态度更从“禁用”变成“祝福”。
不让你制造，只准跟我买！
从近期美国对中国厂家禁令的后续动作观察，可明显看出美国最终目的并非是要赶尽杀绝，而是想在中国所有商机中（中国市场或中国厂的海外市场）分一杯羹。尤其中国制造，全面冲刺半导体本土化，拉高自制率比重，等于是断了美国半导体的财路。
为了扭转这个趋势，当然就是先制裁海思断你IC设计能力，接着再断你制造能力，可预期禁止半导体设备出货给晶圆代工厂中芯的讯息可能并非空穴来风。有用到美国技术又想做中国生意，请先取得美国同意再说。但以目前发展来看，或许只剩美国厂可以取得许可，最终达到不让中国制造，只准跟美国买的独享中国商机目标。
一旦中芯成制裁对象，中国半导体制造发展较快的记忆体厂，或许就可能成为潜在制裁对象，毕竟从过去经验可知，只要大陆资金强力介入的产业，最后都会被产能过剩、价格破坏的红军，杀得血流成河。为了避免悲剧再次发生，早早掐住脖子，限制产能疯狂扩充，也是保护美国厂利益的可能手段。
从近期美国对中国厂家禁令的后续动作观察，可明显看出美国最终目的并非是要赶尽杀绝，而是想在中国所有商机中（中国市场或中国厂的海外市场）分一杯羹。尤其中国制造，全面冲刺半导体本土化，拉高自制率比重，等于是断了美国半导体的财路。
为了扭转这个趋势，当然就是先制裁海思断你IC设计能力，接着再断你制造能力，可预期禁止半导体设备出货给晶圆代工厂中芯的讯息可能并非空穴来风。有用到美国技术又想做中国生意，请先取得美国同意再说。但以目前发展来看，或许只剩美国厂可以取得许可，最终达到不让中国制造，只准跟美国买的独享中国商机目标。
一旦中芯成制裁对象，中国半导体制造发展较快的记忆体厂，或许就可能成为潜在制裁对象，毕竟从过去经验可知，只要大陆资金强力介入的产业，最后都会被产能过剩、价格破坏的红军，杀得血流成河。为了避免悲剧再次发生，早早掐住脖子，限制产能疯狂扩充，也是保护美国厂利益的可能手段。
由于中国NAND Flash龙头厂长江存储、DRAM龙头厂合肥长鑫存储及NOR Flash龙头厂兆易创新，均可见到大陆基金资金扶植的影子，美国真想制裁，不怕找不到理由。
NAND Flash技术 竞争威胁与日俱增
被视为中国半导体产业最成功的代表厂商之一的长江存储，在2018年研发出32层3D NAND Flash，近年来采Xtacking架构加速推进制程脚步，在2019年进入64层技术量产，2020年4月宣布研发成功128层QLC 3D NAND Flash，年底投产。相较美国厂美光及英特尔今年量产的128层及144层3D NAND Flash，长江存储技术差距已不大，竞争威胁与日俱增。
被视为中国半导体产业最成功的代表厂商之一的长江存储，在2018年研发出32层3D NAND Flash，近年来采Xtacking架构加速推进制程脚步，在2019年进入64层技术量产，2020年4月宣布研发成功128层QLC 3D NAND Flash，年底投产。相较美国厂美光及英特尔今年量产的128层及144层3D NAND Flash，长江存储技术差距已不大，竞争威胁与日俱增。
长江存储一期厂房规模产能为每月10万片，但根据业界表示，今年下半年月产能仅约2万片，随着良率改善与需求提升，预计要到2021年下半才会跳至5万片。长江存储二期厂房则计划每月产能为20万片。
中国设备本土化 添补供给缺口可靠台厂
有了前车之鉴，中国半导体制造厂似乎已开始防患于未然，正积极减少仰赖美国制造设备，长江存储从5月起逐月调高采用国产半导体设备及耗材比率，并传出来自国内供应商设备比率要从现行的30％提高到70％，并预期中美冲突将进一步升级，已提前预订2021年产线扩张的设备。
有了前车之鉴，中国半导体制造厂似乎已开始防患于未然，正积极减少仰赖美国制造设备，长江存储从5月起逐月调高采用国产半导体设备及耗材比率，并传出来自国内供应商设备比率要从现行的30％提高到70％，并预期中美冲突将进一步升级，已提前预订2021年产线扩张的设备。
根据中国业界统计，长江存储在截至7月初累计释出2048台设备订单，国产设备约290台，本土化比率14％，包括蚀刻、化学机械研磨、退火、薄膜沉积设备等。长江存储联席副总裁郑久利表示，目前80％以上制造设备均来自美国及日本，本土制造设备仍无法替代对进口设备的依赖。不过，相较于晶圆代工，目前3D NAND Flash还用不到十奈米以下制程，对设备厂导入的技术门槛也相对较低，此块去美化缺口将会是台湾设备厂的机会。
大陆DRAM制程 仍落后两个世代
合肥长鑫存储2019年量产19奈米制程DRAM，为中国首发自制DRAM，具有自主化的指标性意义，厂月产能规模2万片，2020年底前扩充至7万片，预计2021年推进17奈米技术平台。相较美光目前量产的1z 奈米制程DRAM，使用12至14奈米制程，合肥长鑫制程仍落后两代。
为因应未来分期推动的12吋厂本土化，合肥长鑫2020年6月与中国半导体材料厂苏州瑞红、宁波江丰及上海新升半导体共同签约，将供应关键微影胶、化学试剂及半导体材料等，以支持合肥长鑫的12吋厂建厂计划，本土化及去美化的过程中同样需要台厂的支援。
合肥长鑫存储2019年量产19奈米制程DRAM，为中国首发自制DRAM，具有自主化的指标性意义，厂月产能规模2万片，2020年底前扩充至7万片，预计2021年推进17奈米技术平台。相较美光目前量产的1z 奈米制程DRAM，使用12至14奈米制程，合肥长鑫制程仍落后两代。
为因应未来分期推动的12吋厂本土化，合肥长鑫2020年6月与中国半导体材料厂苏州瑞红、宁波江丰及上海新升半导体共同签约，将供应关键微影胶、化学试剂及半导体材料等，以支持合肥长鑫的12吋厂建厂计划，本土化及去美化的过程中同样需要台厂的支援。
NOR Flash可说是中国发展最快的记忆体产品，龙头兆易创新在全球市占率更已挤下美国的赛普拉斯（Cypress），拿下全球第三名。由于中芯有帮兆易创新代工NOR Flash，一旦美国对中芯开铡，兆易创新就有可能成为最先被禁令影响的记忆体厂。
门槛低的NOR Flash 中国已坐上老三
可预期的是，若美国出手限制美国设备出口给中国记忆体厂，砸大钱疯狂扩充产能、追赶领导厂制程，实现本土化并抢攻全球市占的大梦，恐怕就会被迫再等等。随着中国产能扩充受限，未来市场持续供需失衡出现红海的机率自然降低，保住记忆体价格也就保住美国厂的获利。
另一方面，非中国客户为避免订单受影响，也会将原先下给中国厂的订单转向非中国厂，例如目前已传出兆易创新NOR Flash终端客户已开始转单至华邦电、旺宏、赛普拉斯等前三大供应商，美国厂的订单也会因此增加，成为禁令预期的受惠者。
可预期的是，若美国出手限制美国设备出口给中国记忆体厂，砸大钱疯狂扩充产能、追赶领导厂制程，实现本土化并抢攻全球市占的大梦，恐怕就会被迫再等等。随着中国产能扩充受限，未来市场持续供需失衡出现红海的机率自然降低，保住记忆体价格也就保住美国厂的获利。
另一方面，非中国客户为避免订单受影响，也会将原先下给中国厂的订单转向非中国厂，例如目前已传出兆易创新NOR Flash终端客户已开始转单至华邦电、旺宏、赛普拉斯等前三大供应商，美国厂的订单也会因此增加，成为禁令预期的受惠者。
反观记忆体市场现况，负面杂音仍多，库存水位高、终端需求不明等等。
记忆体现况杂音多
DRAM方面，因server DRAM领域获利能力最佳，吸引供应商持续投入，结果导致供给量不断增加，第三季起买方因生产动能放缓、DRAM库存量已超过健康水位及预期跌价心理，购买意愿降低，server DRAM出现供过于求，研判第四季server DRAM价格季跌幅将由原先预估10～15％，扩大至13～18％。
记忆体市场寄予厚望的科技新品5G手机，是推动Mobile DRAM往8GB、12GB容量升级及NAND Flash往128GB以上容量提升的关键，也是消耗市场位元数的重要需求来源。近期中国外的市场受疫情影响，5G手机销售明显不如预期，导致厂商库存增加，接下来就看中国市场的低价策略，能否把民众的换机需求逼出来。
DRAM方面，因server DRAM领域获利能力最佳，吸引供应商持续投入，结果导致供给量不断增加，第三季起买方因生产动能放缓、DRAM库存量已超过健康水位及预期跌价心理，购买意愿降低，server DRAM出现供过于求，研判第四季server DRAM价格季跌幅将由原先预估10～15％，扩大至13～18％。
记忆体市场寄予厚望的科技新品5G手机，是推动Mobile DRAM往8GB、12GB容量升级及NAND Flash往128GB以上容量提升的关键，也是消耗市场位元数的重要需求来源。近期中国外的市场受疫情影响，5G手机销售明显不如预期，导致厂商库存增加，接下来就看中国市场的低价策略，能否把民众的换机需求逼出来。
华邦电（2344）总经理陈沛铭表示，整体NAND Flash市况是否回升？关键并非在第四季中国厂开出多少新的NAND Flash产能，市场需求强弱，才是真正的重点。
股价利空不跌 出现落底讯号！
手机、游戏机及电视等消费性电子，都将是推升第四季NAND Flash的主要需求动能，尤其任天堂Switch游戏机已传出热销、索尼新款游戏PS5也将在11月上市。群联（8299）董事长潘健成则预期，今年第四季至2021年第一季，NAND Flash市场将面临供过于求情况。
虽说目前产业利空不断，但观察DRAM、NAND Flash及NOR Flash指标厂海力士、美光、南亚科、旺宏、华邦电等近期股价表现，却可见到利空不跌的表现，显示波段低点已过的机率颇高，若资金提前卡位反映市场供需将于明年上半年改善的预期（禁制导致供应减少，供需或改善），台股价就有望提前步出谷底，发展成新一波多头循环。
手机、游戏机及电视等消费性电子，都将是推升第四季NAND Flash的主要需求动能，尤其任天堂Switch游戏机已传出热销、索尼新款游戏PS5也将在11月上市。群联（8299）董事长潘健成则预期，今年第四季至2021年第一季，NAND Flash市场将面临供过于求情况。
虽说目前产业利空不断，但观察DRAM、NAND Flash及NOR Flash指标厂海力士、美光、南亚科、旺宏、华邦电等近期股价表现，却可见到利空不跌的表现，显示波段低点已过的机率颇高，若资金提前卡位反映市场供需将于明年上半年改善的预期（禁制导致供应减少，供需或改善），台股价就有望提前步出谷底，发展成新一波多头循环。
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