2021年准备迎接DDR5成长周期，各厂商摩拳擦掌

根据外媒报导，随着 2021 年全球三大记忆体厂陆续将大规模量产下一代 DDR5 DRAM 的情况下，预计记忆体市场将迎接下一个成长周期，这使得三星、SK 海力士、美光等三大记忆体公司正在加紧技术开发，以面对市场竞争而抢攻市占率。
根据南韩媒体《BusinessKorea》报导，全球记忆体产业龙头的南韩三星电子计划在 2021 下半年正式推出 DDR5 DRAM。相较于当前产品 DDR4 的规格，DDR5 DRAM 的传输速率可高达 6,400 Mbps，是 DDR4 DRAM 的 3,200 Mbps 的 2 倍。另外，DDR5 的工作电压为 1.1V，比 DDR4 的 1.2V 降低 9%。DDR5 最大容量为 64 Gb，是 DDR4 产品 4 倍。因为性能突出，使 DDR5 产品即便稍高于 DDR4，但因为世代交易的市场需求下，仍有空间为记忆体厂带来获利，这也是预期全球记忆体产业将迎接新成长周期的主因。
报导强调，根据市场预测DDR5 在 PC DRAM 市场中的市占率，将从 2020 年的不到 1%，成长到 2021 年 10%，足足是 10 倍以上的成长。甚至， DDR5 产品在伺服器的 DRAM 市场中，市占率也将从 2020 年的 4% 提升到 2021 年 15%。市场成长快速情况下，全球三大记忆体厂都开始准备抢攻商机。南韩 SK 海力士已在 10 月 6 日首次发表 DDR5 DRAM，竞争对手三星则预计 2021 年开始量产第 4 代 10 奈米级 DDR5 和 LPDDR5。美商记忆体大厂美光今年初宣布，已开始向客户出样最新 DDR5 记忆体，以第 3 代 10 奈米级 1z 奈米制程打造，性能提升 85%。
除了 DDR5 的 DRAM 竞争，记忆体厂商也在 NAND Flash 快闪记忆体发展角力。美光于 11 月宣布，已开始量产全球首批 176 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体。美光指出，新 176 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体读写方面性能提高 35% 以上，且与同类最佳竞争对手相较，尺寸更减少 30%。继美光之后，SK 海力士也在 12 月 7 日宣布完成 176 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体开发。SK 海力士强调，新产品生产率提高 35% 以上，176 层堆叠的 NAND Flash 快闪记忆体将能增加市场价格竞争力。三星方面则计划 2021 年发表第 7 代 V-NAND 快闪记忆体。理论上，第 7 代 V-NAND 快闪记忆体最多可达 256 层堆叠能力。
报导进一步指出，受惠于 2020 年 10 月，自处理器大厂英特尔收购 NAND Flash 快闪记忆体业务，使 SK 海力士全球 NAND Flash 快闪记忆体市场市占率扩大至 23% 上下。TrendForce 表示，截至 2020 年第 3 季，三星电子以 31.4% 市占率在全球 NAND Flash 快闪记忆体市场中排名第一，铠侠则以 17.2% 位居第 2，威腾电子的市占率则为 15.5%，位居第 3，英特尔及 SK 海力士则各以 11.5% 的市占共同排名第 4。
报导进一步强调，业界预期，NAND Flash 快闪记忆体市场的成长将比 DRAM 市场更快，原因在于智慧型手机向 5G 发展，以及资料中心的伺服器对 SSD 的需求所造成，这使得 NAND Flash 快闪记忆体市场到 2024 前将以每年 30% 到 35% 的速度增长，相较于而 DRAM 的年平均成长率为 15%~20% 而言，NAND Flash 快闪记忆体市场的成长速度快很多，也使得炒商更注重 NAND Flash 快闪记忆体市场发展。