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三星狂砸317亿美元强势扩大存储与晶圆代工布局

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-01-29
据Korea IT News报道,三星电子已经开始进行巨额半导体投资,总价值达317亿美元。该公司最近开始对其在中国的NAND闪存工厂和在韩国的DRAM工厂进行投资。
据报道,除NAND闪存和DRAM外,该公司还计划对其代工业务进行巨额投资。基于此,全球与半导体相关的材料、零件和设备相关公司的销售额有望获得巨大的增长。
韩国业界称,三星电子计划今年分别在存储器业务和代工业务上投资217亿美元和99.7亿美元。与去年公司在半导体工厂和设备上的投资额相比,总投资额增加了20%。预计今年的投资将特别集中在公司在西安的二期工厂和在平泽的二期工厂。
三星电子近期已开始订购必要的半导体设备。1月21日,该公司从WONIK IPS订购了价值1.05亿美元的订单。1月18日,从TES下达了价值2500万美元的订单。这些公司的半导体设备将于今年6月和7月交付,并将安装在三星电子在西安的二期工厂中,用于第六代128层V-NAND生产。
三星电子也已开始投资与DRAM相关的工厂和设备。1月15日,该公司与DI签署了一项合同,为其购买价值3130万美元的DDR5半导体检测设备,DDR5是下一代DRAM存储器的标准。三星电子很可能已下订单,以便于今年下半年开始生产DDR5 DRAM存储器。
这些订单被视为三星电子今年已开始进行大规模半导体投资的标志,因为NAND和DRAM是该公司的主要产品,该公司表示,在考察了今年的产品之后,它将把今年的投资重点放在市场更积极的上半年。
由于西安的二期工厂和平泽的二期工厂尚未配备必要的设备,因此三星电子今年的投资预计将集中在这两个工厂上。根据业内人士的说法,三星电子计划在今年年底之前完成西安的二期工厂设备引进。平泽的二期工厂的投资则平均分布在DRAM、NAND闪存和代工厂。
按照产能来看,西安(X2)二期工厂的月产能规模预计约为55,000片。关于平泽二期工厂(P2),DRAM、NAND闪存和代工厂的月产能规模预计分别为30,000~60,000片,18,000~30,000片和20,000片。
报道还指出,三星电子的投资规模可能会根据全球半导体市场的变化而变化。但是,业内人士肯定,由于全球线上经济的活跃以及智能手机和汽车行业对芯片的需求不断增加,可以肯定的是,三星电子今年在工厂和设备上的投资将高于去年。
另外,最近三星电子的材料、零件和设备供应商一直在忙于应对三星电子的积极投资。全球半导体设备供应商期望今年三星电子的巨大业绩,从而有望从韩国获得最高的销售额。三星电子的计划投资也鼓励了供应材料、零件和设备的韩国公司。据报道,三星电子副董事长金基南(Kim Ki-nam)告诉该公司高管和员工,寻找维持超级缺口战略的方法,以为全球半导体市场的巨大繁荣做好准备。
韩国半导体设备行业的一位高管表示,随着三星电子计划对工厂和设备进行巨额投资,该行业预计今年将实现巨大增长。
同时,据报道,三星电子今年并没有计划在奥斯汀建造3nm晶圆代工厂。尽管三星电子有可能最早在下半年破土动工,但公司很可能只会为该工厂打基础。通常,半导体制造商会选择一个工厂的位置,建造一个工厂,并安装无尘室并最终引入设备。由于从建造到设备安装需要两到三年的时间,该公司很可能将在2022年才会开始进行投资以建造奥斯汀工厂。

三星电子披露未来并购及扩建晶圆厂计划

近期,三星电子副会长、三星集团掌门人李在镕被判入狱两年半。三星电子的未来也成为业界热议的话题之一。
据日经亚洲评论报道,三星电子28日公布,去年第四季度实现净利润6.6万亿韩元(合60亿美元),同比增长26.4%;同期销售额增长2.78%,达到61.55万亿韩元。
该公司同时表示,未来3年将着眼于“有意义的”并购项目。
三星电子的专务理事Choi Yoon-ho在第四季度业绩电话会议上表示,“我们乐观预见可以在本年度里进行规模可观的并购。尽管现金流突增会成为公司的负担,但我们将尽最大努力降低这种风险。”
另外根据报道,在李在镕离开期间,三星电子将由其他三位高管管理,分别负责半导体、移动以及家电业务。
值得一提的是,三星当天还表示,预计英特尔扩大生产外包的计划将增加芯片代工业的整体需求。但其拒绝透露自己是否从英特尔获得了订单。
不过报道称,三星电子正在考虑扩建芯片工厂,最有可能的地点是韩国的华城和平泽,以及美国的德克萨斯州的奥斯汀。而对于现阶段,该公司尚未做出任何决定。