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三星将提高平泽二厂DRAM与代工产量

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-03-03
随着全球半导体深陷缺货危机,三星电子正加快产业投资。从DRAM到NAND闪存,甚至是代工厂,这家韩国科技巨头计划展开全面攻势。
据etnews报道,业界1日透露,三星电子近期调整了今年的DRAM投资计划。据悉,该公司位于韩国平泽的P2工厂第一季度12英寸晶圆的投片量从3万/月提升至4万/月,年度DRAM投片量即将从6万片增加到7万片。
韩媒指出,三星在第一季度的投片量约为年度规划的60%左右。该公司将大部分投入集中在一季度,意味着将加速产能扩张。
与此同时,三星电子也考虑扩大对NAND闪存的投资。近日,西安市2021年市级重点建设项目计划发布,其中包括三星(中国)半导体有限公司12英寸闪存芯片二期二阶段项目。
另外,三星还计划扩张代工产能。据悉,该公司决定将平泽P2工厂的5纳米生产线规模从现有的2.8万片增加到4.3万片。值得一提的是,三星将原本引入的计划用于DRAM制造的EUV光刻机改为代工使用,以因应5纳米代工迅速增长的需求。
在全球半导体需求维持强劲的背景下,三星电子正加快实现“ 2030年成为系统半导体领域第一”的目标。
根据报道,为响应三星电子不断涌入的订单,韩国半导体设备行业已全面启动产能。
一位设备行业的高层表示:“向三星电子提供设备的大部分公司都非常忙碌。”据称,市场明显感受到了半导体出口扩大和价格上涨的趋势。