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三星将发表512GB DDR5内存 速度提高一倍 省电13%

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-03-26
为以满足资料中心和人工智慧(AI)的需求成长,全球记忆体晶片龙头三星电子今年稍后将发表新一代记忆体晶片,为七年来首见。该公司表示,这款新晶片的速度将提高一倍,容量也更大。
三星25日表示,已研发出业界首个采用高介电层/金属闸极(HKMG)制程的512GB DDR5记忆体模组。根据声明内容,DDR5记忆体速度是目前DDR4的两倍,能降低漏电功耗,以及省电13%。
三星预期今年下半年将开始改采DDR5。晶片产业预期,英特尔代号为Sapphire Rapids的下一代Xeon Scalable处理器将支援DDR5。彭博报导,除了与全球两大中央处理器(CPU)制造商英特尔和超微(AMD)合作外,三星已寄送这款新记忆体晶片的样本,给资料中心平台开发商。
彭博行业研分析师说,一个新DRAM世代将在2021年稍晚或2022年登场,为六至七年来首见。新晶片的速度更快、耗电更少,而且可靠性更高,将在即将到来的AI世纪,提供高效能的运算。
三星DRAM记忆体企业副总裁孙宁洙(音译)表示,DDR5应用的领域包括医疗研究、金融市场、自驾车、智慧城市等。
分析师预估,DDR5晶片将比DDR4大20%,将加重半导体供应链的压力。三星打算今年开始出货,并逐步增进制程技术。三星并预期,DDR5最快将在2023年下半年取代DDR4。