SK海力士无锡厂升级受阻 DDR4价格恐有压
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-11-19
记忆体大厂 SK 海力士计划升级中国无锡厂设备，导入 ASML 的 EUV(极紫外光) 设备机台，但传遭美方出手阻挠；市场预期，SK 海力士无锡厂升级计划受阻，恐无法转进生产下世代 DDR5 产品，DDR4 供给不如预期减少，价格恐续下挫，模组厂则可趁低价备货料源，可望因此受惠。
SK 海力士无锡 DRAM 厂月产能 18 万片，采 1Y 奈米制程生产，主要产品为 DDR4，无锡厂占 SK 海力士约半数 DRAM 产能，全球市占率则为 15%。而 SK 海力士计划在无锡厂引进最新 EUV 设备，却遭美方阻挠，无锡厂升级计划因此受阻。
SK 海力士今年 7 月宣布以 EUV 设备、采用 1a 奈米制程，量产 8GB 容量 LPDDR4 行动装置用 DRAM，并计划在未来所有 1a 奈米的 DRAM 生产上，全面导入 EUV 技术，以确保品质稳定；SK 海力士也计划 2022 年初时，采用 1a 奈米制程生产 DDR5 产品。
业界人士认为，在升级计划受阻下，可能影响 SK 海力士无锡厂转进 1a 奈米制程脚步，后续生产下世代 DDR5 产品也将受影响。
市场预期，SK 海力士无锡厂原先计划升级的设备，可能维持既有制程生产，DDR5 市场竞争压力将趋缓，DDR4 则因供给不如预期减少，价格恐持续下挫，模组厂威刚、宇瞻 、十铨，则可趁低价备货建库存。
SK 海力士无锡 DRAM 厂月产能 18 万片，采 1Y 奈米制程生产，主要产品为 DDR4，无锡厂占 SK 海力士约半数 DRAM 产能，全球市占率则为 15%。而 SK 海力士计划在无锡厂引进最新 EUV 设备，却遭美方阻挠，无锡厂升级计划因此受阻。
SK 海力士今年 7 月宣布以 EUV 设备、采用 1a 奈米制程，量产 8GB 容量 LPDDR4 行动装置用 DRAM，并计划在未来所有 1a 奈米的 DRAM 生产上，全面导入 EUV 技术，以确保品质稳定；SK 海力士也计划 2022 年初时，采用 1a 奈米制程生产 DDR5 产品。
业界人士认为，在升级计划受阻下，可能影响 SK 海力士无锡厂转进 1a 奈米制程脚步，后续生产下世代 DDR5 产品也将受影响。
市场预期，SK 海力士无锡厂原先计划升级的设备，可能维持既有制程生产，DDR5 市场竞争压力将趋缓，DDR4 则因供给不如预期减少，价格恐持续下挫，模组厂威刚、宇瞻 、十铨，则可趁低价备货建库存。
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