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台媒:200层以上3D NAND闪存的竞争将加速QLC SSD应用

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-05-20
5月20日,据DIGITIMES报道,业内人士透露,芯片制造商加入200层以上3D NAND闪存芯片的竞争将加速QLC SSD的应用,尤其是在2023年的消费领域。
消息人士指出,在消费类SSD中,QLC NAND闪存的采用率预计明年将达到20%。
消息人士称,由于QLC NAND闪存的价格将被芯片制造商的技术迭代进一步拖累,预计2024年至2025年,QLC NAND SSD也将被广泛用于企业级SSD。
消息人士指出,三星电子可能最早于2022年底开始生产200层以上的3D NAND闪存芯片。该厂商预计将在2023年初推出其超过200层的第八代V-NAND。
美光科技已经推出了声称是业界首个232层的3D NAND闪存,它将被用于在2023年推出的新SSD。这家美国供应商还公布了2YY层、3XX层和4XX层NAND技术的计划。
报道称,三星和美光都已经在大规模生产各自的176层3D NAND闪存芯片。
西部数据在其最近的投资者日活动中披露了与合作伙伴铠侠开发2XX层NAND技术的计划。西部数据表示,他们的第六代162层的BiCS 3D NAND技术将是今年的制造重点。