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三星已组建开发团队以量产4F2结构DRAM

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2023-05-26
据韩媒The Elec报道,知情人士称,三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队,以量产4F2 DRAM。公司目标是将4F2 DRAM存储单元应用于10纳米以下的DRAM制程,以目前的技术预计会面临线宽缩减的极限。
据报道,如果三星4F2DRAM存储单元结构研究成功,在不改变节点的情况下,与现有的6F2DRAM存储单元结构相比,芯片DIE面积可以减少30%左右,将面临线宽减小的极限。4F2结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术,据说工艺难点颇多。资料显示,与8F2相比,6F2可以减少25-30%的面积。
近日,多位半导体和证券业人士透露,三星电子第二季度的DRAM芯片出货量预估环比增加约15%-20%,扭转第一季度环比下滑10%左右的颓势。SK海力士第二季度DRAM芯片环比预料增加30%-50%,高于市场共识的20%。机构表示,随着三大厂商均已开始减产,存储芯片的需求将在2023年三季度回升,摆脱供应过剩的情况。预计2023年全年,DRAM产量年增长率将只有5%。