美光DDR5 8000规格准备就绪 明年128GB量产出货
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2023-11-28
记忆体大厂美光科技(Nasdaq:MU)宣布,推出 128GB DDR5 RDIMM记忆体,采用32Gb单片晶粒,以高达8,000 MT/s 的同类最佳效能支援当前和未来的资料中心工作负载,128GB RDIMM 预计于2024年开始出货。路透记忆体大厂美光科技(Nasdaq:MU)宣布,推出 128GB DDR5 RDIMM记忆体,采用32Gb单片晶粒,以高达8,000 MT/s 的同类最佳效能支援当前和未来的资料中心工作负载,128GB RDIMM 预计于2024年开始出货。
记忆体大厂美光科技(Nasdaq:MU)宣布,推出 128GB DDR5 RDIMM记忆体,采用32Gb单片晶粒,以高达8,000 MT/s 的同类最佳效能支援当前和未来的资料中心工作负载,128GB RDIMM 预计于2024年开始出货。
美光表示,此款大容量高速记忆体模组专为满足资料中心和云端环境中各种关键应用的效能及资料处理需求所设计,包含人工智慧(AI)、记忆体资料库(IMDBs)、高效处理多执行绪及多核心运算工作负载等。
采用美光领先业界的1-beta技术,128GB DDR5 RDIMM记忆体使用32Gb DDR5 DRAM晶粒,相比其他3D堆叠直通矽晶穿孔(TSV)产品具备下列优势,位元容量提高超过45%、能源效率提升高达24%、延迟大幅降低16%、AI训练效能提升高达28%。
美光32Gb DDR5记忆体解决方案选用创新晶粒架构,提供领先阵列效率和最密集的单片DRAM晶粒。电压领域和更新管理功能有助于完善电源网路,进而改善能源效率。此外,美光也将晶粒尺寸的深宽比最佳化,藉此提升32Gb大容量DRAM晶粒的制造效率。
透过AI驱动的智慧制造方式来实现世界级的创新,美光的1-beta技术制程节点创下史上最快的速度达成良率目标。 美光的128GB RDIMM 预计于2024年开始出货,可应用于搭载4,800 MT/s、5,600 MT/s和 6,400 MT/s的平台,针对未来速度高达8,000 MT/s的平台也可适用。
美光表示,此款大容量高速记忆体模组专为满足资料中心和云端环境中各种关键应用的效能及资料处理需求所设计,包含人工智慧(AI)、记忆体资料库(IMDBs)、高效处理多执行绪及多核心运算工作负载等。
采用美光领先业界的1-beta技术,128GB DDR5 RDIMM记忆体使用32Gb DDR5 DRAM晶粒,相比其他3D堆叠直通矽晶穿孔(TSV)产品具备下列优势,位元容量提高超过45%、能源效率提升高达24%、延迟大幅降低16%、AI训练效能提升高达28%。
美光32Gb DDR5记忆体解决方案选用创新晶粒架构,提供领先阵列效率和最密集的单片DRAM晶粒。电压领域和更新管理功能有助于完善电源网路,进而改善能源效率。此外,美光也将晶粒尺寸的深宽比最佳化,藉此提升32Gb大容量DRAM晶粒的制造效率。
透过AI驱动的智慧制造方式来实现世界级的创新,美光的1-beta技术制程节点创下史上最快的速度达成良率目标。 美光的128GB RDIMM 预计于2024年开始出货,可应用于搭载4,800 MT/s、5,600 MT/s和 6,400 MT/s的平台,针对未来速度高达8,000 MT/s的平台也可适用。