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美光领先完成库存去化

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2023-11-28
美光(Micron)传出第4季起启动收敛DRAM工厂减产幅度,反映领先完成库存去化,法人看好, DRAM晶圆厂可望自今年第4季至明年第2季陆续升载,推动价量齐扬,建议投资焦点,由NAND Flash转至DRAM、且模组厂转至晶圆厂。
中国台湾南亚科28日股价上涨4.8%,收在73.5元,一根长红棒突破近日盘整区,创波段高点,华邦电(2344)则涨3.9%,收在27.85元,终止连八根黑K,重新站回5、10日线。
投顾法人分析,第4季DRAM合约价已大致议定,约当DDR5上涨15%、DDR4上涨10%至15%、DDR3上涨10%,涨幅优于预估的5-10%,主要反映华为Mate 60新机销售畅旺,带动安卓阵营提前推出新机,以及南韩三星控制出货量,个人电脑厂商回补库存时间拉长。
此外,DRAM厂商将第4季至明年第1季伺服器DRAM投片调整为行动及个人电脑DRAM投片,缓解供给压力,以及网路摄影机、网通等利基型应用厂商因应涨价预期,启动记忆体库存回补,亦为关键。
DRAM现货价自11月起涨势收敛,主因是大型与小型模组厂年底旺季接单分别已于8至9月、9至10月达到高峰,且通路商因应涨价预期所执行的库存回补已大致完成。
法人表示,美光DRAM库存已降至八周、完成库存去化,并将DRAM工厂减产幅度自第3季的31%收敛至第4季的17%、并预计在明年第1季至第4季维持减产幅度,且三星及SK海力士减产及去库存时间皆落后美光约一季,预计将减产幅度自第4季的18%至40%收敛达明年第1季的15%至34%,并预计明年第2季至第4季逐步收敛减产幅度。
考量终端需求预计自明年第2季起回温,加上龙头制造厂军预计维持“以销定产”的纪律性增产节奏,法人预估明年第1季至第4季期间DRAM合约价将维持涨势;相对于库存仍处15至18周高水准的NAND Flash工厂,尚未见到明显的减产收敛行动。