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三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-03-01
3月1日消息,近日Samsung电子宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是Samsung目前为止容量最大的HBM产品。
 SamsungHBM3E 12H支援全天候最高带宽达1280GB/s,产品容量也达到了36GB。相比Samsung8层堆叠的HBM3 8H,HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。
Samsung电子存储器产品企划团队执行副总裁 Yongcheol Bae 表示:“当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM,而我们的新产品HBM3E 12H正是为了满足这种需求而设计的,这一新的存储解决方案是我们研发多层堆叠HBM核心技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。”
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术,使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致,以满足当前HBM封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题,这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。Samsung一直在努力降低其非导电薄膜(NCF)材料的厚度,并实现芯片之间的间隙最小化至7微米(μm),同时消除了层与层之间的空隙。这些努力使其HBM3E 12H产品的垂直密度比其HBM3 8H产品提高了20%以上。
Samsung先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块(bump)改善HBM的热性能。在芯片键合(chip bonding)过程中,较小凸块用于信号传输区域,而较大凸块则放置在需要散热的区域。这种方法有助于提高产品的良率。
随着人工智能应用的指数级增长,HBM3E 12H有望成为未来系统的优选解决方案,满足系统对更大存储的需求。凭藉超高性能和超大容量,HBM3E 12H将帮助客户更加灵活地管理资源,同时降低数据中心的总体拥有成本(TCO)。相比HBM3 8H,HBM3E 12H搭载于人工智能应用后,预计人工智能训练平均速度可提升34%,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。
目前,Samsung已开始向客户提供HBM3E 12H样品,预计于今年下半年开始大规模量产。