美光：台湾强震短期冲击DRAM供应 单季影响4~6%

记忆体大厂美光(Micron Technology)宣布，中国台湾4月3日发生的7.4级强震，对单季的DRAM供应影响最多介于4~6%之间(mid-single digit percentage)。
美光11日在提交给美国证券交易委员会(SEC)的8-K重大事项公告中强调，这次地震并未对厂房、基础设施或设备造成永久性伤害，不会对DRAM供应造成长期影响。
美光表示，截至目前，震后的DRAM生产尚未完全恢复，但在台湾团队的努力下，厂房复原进度良好。
美光11日闻讯劲扬4.35%、收127.51美元，逼近4月3日创下的历史收盘新高(128.01美元)。美光有60%的记忆体是在台湾制造。
美光预定6月26日公布第三季度财报。年初迄今，美光股价已大涨49.41%，优于费城半导体指数的17.5%。

高频宽记忆体(HBM)在AI浪潮下有望成为所有“记忆体循环之母”(mother of all memory cycles)，激励美光股价。

Rosenblatt Securities分析师Hans Mosesmann 3月25日发表研究报告指出，HBM不但会成为最顶尖的记忆体类别，或许价格还是最没弹性的。
Mosesmann认为，单从传统的DRAM通路调查或半导体景气循环的历史来看，根本无从判断这波“半导体循环之母”的热络程度及持久度。他将美光投资评等设定为“买进”、目标价225美元。

美光科技公司表示，上周在台湾发生的地震没有对其设施、基础设施或工具造成永久性影响，但将在短期内削弱其DRAM供应能力。