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三星第二代3纳米制程良率 韩媒惊爆仅20%

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-05-21
南韩业内传出,三星电子(Samsung Electronics)的第二代3纳米制程良率仍欠佳。
南韩业内传出,三星电子(Samsung Electronics)的第二代3纳米制程良率仍欠佳,这项制程在今年稍晚将会用来生产即将内建于 Galaxy S25旗舰智慧型手机的Exynos 2500行动处理器。
日前业界宣布,三星采用最新3纳米GAA制程的旗舰行动系统单芯片(SoC)已成功完成设计定案(tape out),此消息引起市场注意。人们普遍相信,这款SoC应是次世代Exynos 2500。
不过,韩媒DealSite及社群平台X用户@Revegnus1却指出,三星第二代3纳米制程良率仅有20%。换言之,矽晶圆上每10颗芯片就有8颗有缺陷。相较之下,中国台湾台积电的N3B制程良率则为接近55%,次世代N3E制程的良率则还未知。
@Revegnus1爆料指出,Google从2025年释出的Pixel 10智慧型手机开始,Tensor应用处理器将改采台积电的3纳米制程技术。最近Google扩大了中国台湾的研发中心,并积极聘用台湾半导体工程师,准备与台积电合作。
Tech Edt报导,过去几年三星晶圆代工事业(Samsung Foundry)一直是Google Tensor芯片的主要代工商,如果上述消息属实,那意味着三星恐失去这项合约。