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第五代1b制程DDR存储器良率未达标准,三星成立工作小组解决

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-06-12
第五代 1b 制程 DDR 存储器良率未达标准,三星成立工作小组解决
根据韩国媒体 ZDNet Korea 的报导,三星第五代 10 纳米级(1b)制程 DRAM 存储器良率未达业界 80%~90% 的一般目标,这使得三星已于上个月开始,成立专门工作小组来进行解决。
三星是在于 2023 年 5 月宣布第五代 10 纳米级(1b)制程 16Gb DDR5 存储器开始量产,后又于 2023 年 9 月宣布第五代 10 纳米级(1b)制程的 32Gb DDR5 存储器开发成功。这代表着三星可在不使用 TSV 矽穿孔技术的情况下,就能生产 128GB 容量的高密度 DDR5 RDIMM 存储器模组。
因为相较于采用 TSV 矽穿孔的 3DS DIMM 存储器,这种不使用 TSV 矽穿孔技术的存储器模组功耗减少 10%,制造成本也显著降低。所以,第五代 10 纳米级(1b)制程的 32Gb DDR5 存储器颗粒被三星电子视为未来的主力产品。现在,三星成立专门工作组,目的就是迅速提升良率,能在市场上具备竞争力。
三星电子还决定积极扩大第五代 10 纳米级(1b)制程 DRAM 的产量,未来华城 15 和平泽 P2 晶圆厂将成为这一产品的主要生产基地。其中,平泽 P2 晶圆厂目前主要以生产第三代 10 纳米级 (1z ) 制程的存储器,未来将进行制程技术的升级。
三星电子计划将第五代 10 纳米级(1b)制程 DRAM 的产能,从目前的每月 4 万片,扩大到 2024 年第三季的 7 万片,然后到第四季在到 10 万片的规模。之后,到明 2025 年则将进一步提升至每月 20 万片,以因应市场需求。