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全球NAND原厂产能战火未停歇,推进至3D NAND制程

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2018-09-21

为了填补先前NAND Flash供给短缺,全球主要NAND大厂加大3D NAND投产计划,2018年下半起,部分原厂已转为96层TLC或者64层QLC,预计大规模量产将集中于2019年上半,量产容量将进入256GB或者512GB起跳,根据估计,包括三星、东芝及WD、海力士、美光的3D NAND产能均达6成以上,受到NAND整体产能扩大带动下,2019年旗舰款智能型手机将向516GB规格迈进。

中国快闪存储器市场峰会(CFMS 2018)甫成功落幕,来自三星、WD、英特尔、美光、长江存储、慧荣、群联、江波龙等产业大咖聚首,据估计,全天参会观众达到1500人的规模,吸引了华为、联想、Oppo、Vivo、中兴、小米等终端厂商,金士顿、紫光存储等相关厂商共襄盛举。

CFMS指出,2018年全球半导体市场规模达到1,500亿美元,其中NAND Flash将超过570亿美元,而大陆市场消耗了全球产能的32%,这意味着大陆已成为全球主要的市场,而长江存储、合肥长鑫、福建晋华作为大陆3大存储器代表厂商将先后量产及试产,包括长江存储的32层3D NAND已问世、福建晋华很快开始试产PC DRAM、合肥长鑫也预计在年底进行小规模量产,将从根本上解决大陆存储器芯片长期高度依赖海外的现状。

另一方面,全球主要NAND生产厂商包括三星、东芝及WD、美光等产能竞争从未停歇,尤其是2018年新一轮投产展开,包括三星已有全球最大的Fab18工厂以外,目前也在西安厂进行第二期工程,共投入70亿美元进行未来3年扩充计划,而东芝和WD合作的四日市Fab6厂刚举行开幕仪式,将用于量产新一代96层3D NAND制程。

根据业界估计,目前3D NAND已是各大原厂主要量产制程,其中,三星3D NAND约占85%,东芝及WD是75%、美光达到90%,SK海力士也达到60%,预计2018年NAND Flash存储密度将较2017年成长42%,约达到2,300亿GB规模,在市场应用需求部分,嵌入式产品和SSD产品在2018年合计消耗产能超过全球85%比重,预计此一趋势将延续至2019年。

三星大中华区首席技术官裴容彻表示,存储市场产值从早期的PC、移动装置到如今大数据时代,平均成长率达到了30%,未来5G、数据中心、AI应用将是很重要的成长区动力,预计2018年~2023年都可以看到存储器市场都会继续成长,近期三星新一代的QLC产品可将成本降低60%,并推出了容量高达1TB的V-NAND技术,速度将会达到1,200Mbps,至于移动式存储器市场虽然进入饱和,但2019年UFS将可望占到整个市场20%以上比重。

美光集团副总裁Dinesh Bahal指出,大数据带来存储需求持续增加,预计2021年NAND Flash平均每年成长率将可达40%~45%,但投资的规模却比过去高出很多倍,而美光NAND技术从40nm到16nm,再到64层3D NAND技术,日前以QLC制程的新产品已可在市场上买到,未来美光将持续聚焦于96层新一代技术,已达到更大容量以及更好效能。

随着2018年上半起各大原厂主要量产制程来到64层NAND,下半年起制程技术持续推进,目前NAND从2D极限容量128GB上升到64层512GB,96层NAND也将从512GB过渡技术走向量产1TB技术,推动智能型手机及消费型SSD快速迈入TB时代。