技术差或缩小至2年！长江存储：存储芯片量产如期推进

日经新闻报导，长江存储联席首席技术官程卫华表示，该公司生产如期推进，和全球供应商的合作关系一切正常。

长江存储64层3D NAND预计将在2019年第3季将可投产。业界预计2020年推出128层堆叠的3D NAND。

长江存储副总裁兼联席首席技术官程卫华指出，3D NAND已迅速成为动态系统的标准技术，随着堆叠层数的不断提升，传统3D NAND闪存面临着新的挑战，包括CMOS/阵列电路加工时的热影响、有限的I/O传输速度、存储密度和产品上市周期等。

Bernstein Research半导体分析师Mark Li说，如果长江存储的64层3D NAND如期在2019年下半量产，长江存储和国外领导厂商的技术差距，可望从落后3、4年，缩小至落后2年。

去年，福建晋华遭美国指控窃取商业机密，将晋华列入出口管制实体清单。程卫华强调，长江存储不允许员工窃盗知识产权或其他公司商业机密的事情发生，公司要求所有人员签署协定，不能把非法取得资料带进公司。

另外，近来存储器供给过剩，价格跌不停，外界忧虑长江存储将开出庞大产能，打坏市场。程卫华指出，长江存储不会大举增产，让存储器供过于求。去年长江存储执行长杨士宁(Simon Yang)在中国闪存市场峰会（CFMS 2018）上表示：我们也希望能创新，能为这个产业做我们的贡献，所以我们就发布了Xtacking™技术，而且产品出来以后上了量是要赚钱的，并不是来砸场子的。