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NAND Flash 2020年决战3D V NAND

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2019-07-23
据电子时报报道,受到东芝工厂停产及日韩贸易战导致记忆体价格将反转契机出现,NAND Flash价格调涨从7月开始显现,而国际大厂之间的技术竞争更是暗潮汹涌。业界认为,随着各家大厂96层3D NAND迈入量产,2019年下半将开始进入新一代制程竞争,三星电子(Samsung Electronics)不仅将量产的第六代3D V NAND(即120/128层),旗下的Z-NAND将与东芝记忆体研发的XL-Flash形成对决,并与英特尔、美光的3D XPoint抢攻资料中心的储存市场大饼。