新半导体产线何时启动运作，三星目前陷入两难局面

之前，在半导体市况好的时候，南韩三星在中国陕西省西安市和南韩京畿道平泽市所扩增的半导体生产线，如今面临了在记忆体市场价格跌价的情况下，何时进一步启动运作的大问题。因为，一但三星启动新的产线，则将对目前好不容易有复苏迹象的半导体市场再进行一次的重击，使得市场重回供过于求，价格下跌的困境。但是，面对竞争对手开始进行增产的计划，三星也怕可能失去市场占有率。因此，这样问题让三星目前陷入两难的困扰中。

根据南韩媒体 《BusinessKorea》 的报导，原本三星预计在 2019 年藉由更新生产设备，使得 DRAM 的生产由 1x 奈米制程提升至 1y 奈米制程，来进一步调整 DRAM 的产能，达到以量制价恢复市场价格的目标，使整个半导体产业能重回成长的行列。但是，根据最新的报价显示，截至 2019 年 9 月底，DRAM （DDR4 8 Gb） 和 NAND Flash 快闪记忆体 （128 Gb MLC） 的价格分别为 2.94 美元和 4.11 美元，已经连续 2 个月没有变化，这使得三星开始考虑，是否真的要让新产能进行启动。
 
报导指出，事实上在 2019 年第 2 季财报公布后，三星的竞争对手包括 SK 海力士，东芝及美光等厂商宣布降低 DRAM 和 NAND Flash 快闪记忆体的产能。而这样的降低产能计划，虽然让半导体的供应量减少，但是却使得厂商能藉由调整供过于求的情况，来达到缓和记忆体价格下跌的目标。但是，这样的情况到了 2020 年可能将会变得更加困难。原因是三星在中国西安的第 2 家工厂和平泽的第 2 家工厂预计将开始大规模生产记忆体，如此一来则记忆体价格的再度下跌将是不可避免的事情。因此，出于这种担忧，三星表示目前尚未决定何时让新产线正式运作，或者是生产那种产品。

报导进一步表示，根据市场人士的推测，三星位在中国西安的第 2 家工厂将像第 1 家工厂一样进行 NAND Flash 快闪记忆体的生产。原因是 NAND Flash 快闪记忆体价格在 2019 年上半年的下滑已经到了价格平衡点 （BEP），这使得三星西安的第 2 家工厂有可能被用作 NAND Flash 快闪记忆体的生产基地，以在地供应需求量很大的中国市场。不过，这样的说法已经遭到了三星的否认，并且表示目前尚未进行任何的决定。
 
另外，近期竞争对手的举动加剧了三星的担忧。因为全球第三大 DRAM 制造商美光 (Micron) 在上个月的财报会议中指出，由于 2020 年 DRAM 的需求预计将成长 18% 至 20%，因此美光将相应的增加 DRAM 的供应，并宣布了其扩产计划。虽然，凭藉其在技术和生产能力方面的竞争优势，三星可以轻易的打败竞争对手。但是，考虑到该产业最近的全球形势，这依旧是非常冒险的。

尽管由于 5G 普及，让人们对记忆体市场的另一个超级循环周期有所其期待。但是，因为苹果要到 2020 年下半年才发布 5G iPhone，这使得 2020 年对记忆体的需求预计将受到一些限制。再加上近来伺服器市场对 DRAM 的大量需求，在最近几年中的确大幅度地推动了三星在市场中的出色表现。但是，未来的云端运算服务中重的是软体的优化，而不是增加购买记忆体，因此需求几乎不可能反弹。

最后，该报导指出，由于三星在平泽的第二家工厂投资了 30 兆韩圜，可以开发基于 EUV 技术的 DRAM 生产，并且扩大晶圆代工方面的产能。因此，在该工厂建成后，该公司将根据市场情况弹性应用。市场人士也指出，目前记忆体的生产晶片需要考虑的因素很多，除设厂状况之外，还包括美中贸易战的后续，甚至是 2020 年美国总统大选的结果等。因此，现阶段要厂商做出是否启动新产线的决定并不容易。