明年在5G、人工智慧应用推升下，对DRAM与NAND Flash需求同步增温

历经近一年多景气循环，DRAM、NAND Flash 原厂逐步去化库存，市场朝供需平衡迈进，价格走势趋稳，明年在 5G、人工智慧应用推升下，有助 DRAM 与 NAND Flash 需求增温，记忆体市况料将走出近 1 年的景气修正期，最快明年上半年，产业就可重回上升循环。

DRAM 去年第 4 季起市况反转，今年第一、二季价格持续走跌，第 3 季受惠旺季需求带动，市场拉货情况优于业者预期，加上供给端库存有所改善，DRAM 价格虽仍续跌，但跌价情况已趋缓。

南亚科总经理李培锳并认为，第 4 季 DRAM 供需平稳，价格将持平或小幅上涨，位元出货量则有机会持平上季、或小幅减少。从需求来看，云端伺服器需求逐渐增加，手机新机搭载量也成长，PC 出货量下半年估优于上半年，智慧音箱等消费型电子产品，需求则持稳。

明年全球经济景气虽仍不稳定，但 DRAM 厂库存已去化至健康水位，加上大厂持续调节库存，明年资本支出也相对保守，有机会带动价格反弹，李培锳预估，最快明年第 1 季，就可望出现价格反弹力道，但确切的时间点，仍得视大厂库存去化情形。

南亚科董事长吴嘉昭甚至乐观认为，明年第 2 季起，DRAM 市场就会供需平衡，且若市场未有大量新产能开出，下半年 DRAM 市况可望再度供不应求。

NAND Flash 去年持续供过于求，跌价情况严重，今年首季价格也急挫 3 成，而后并跌破现金成本价，但由于大厂相继减产，加上东芝 6 月跳电事件后，产能大受冲击，带动 NAND 现货价于 7、8 月反弹翻扬，9 月虽回落，但近期又再次走扬，价格趋稳。

历经逾一年的低迷市况，群联董事长潘健成也说，目前主要 NAND Flash 原厂已逐渐去化库存，加上 5G 技术应用基础设备开始建置，且车载系统普及率上升、内容创作者等 NAND 储存新应用兴起，对第 4 季乐观看待。由于原厂库存去化有成，加上今年第 3 季旺季需求顺利启动，市场拉货程度优于预期，明年随着 5G 时代来临，在 5G 手机、智慧家庭与自动驾驶等相关应用驱动下，拥有运算能力的终端产品数量将显著提升，持续推升对记忆体产品的需求，价格也将反弹走扬，记忆体产业近一年来的景气循环低谷，可望因此告终。