SK-Hynix 展示下代DDR5 RDIMM 实物，单条 64GB 容量、4800 MHz

 在踏入 2020 年，SK-Hynix 会将旗下的 SSD 产品升级用上自家的 128 层 1Tb 4D NAND Flash 之外，亦都告诉我们“DDR5 记忆体要来了!!”在 CES 2020 上展示了一条最新的 DDR5 EEC 记忆体实物，单条容量为 64GB，而速度更达到了 DDR5-4800 MHz。

DDR5 是下一代 DDR 记忆体，将会替代现时主流的 DDR4 记忆体，DDR5 的容量、时脉将达到 DDR4 两倍以上。得益于最新的技术，DDR5 有可能带来单片 32Gb 的 DDR5 颗粒，这样单条记忆体支援的容量将可提升至 64GB~128GB。而规格上，目前 DDR5 的记忆体规格从 DDR5-3200MHz 起跳，最高可到 DDR5-6400MHz。
 
在 2018 年 11 月，SK-Hynix 推出了 DDR5 记忆体的样品，采用的晶片容量为16Gb，速度为 5200 MT/s，比上一代产品快 60%，而在去年 2 月举行的 ISSCC 国际固态电路会议，SK-Hynix 介绍全新基于 DDR5 规范的同步 DRAM 晶片，设计师 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正积极量产 16Gb DDR5 SDRAM 模组产品，全新的新 DDR5 SDRAM 模组制造节点为 1Ynm，基于四金属 DRAM 工艺，封装面积 76.22 平方毫米，是一款16Gb ，每引脚 6.4Gbps 的 SDRAM，工作电压为1.1V，可打造出高阶的 DDR5-6400 记忆体。

在 CES 2020 大会上 SK-Hynix 就真正展出了 DDR5 记忆体的实物，这款 DDR5 RDIMM 记忆体的速度为 4800 MHz，提供单条 64 GB 的容量，专为下一代企业平台而设。

SK-Hynix 指出，展出的 DDR5 RDIMM 记忆体是使用 1znm 工艺制造，最高可支援 6400 MT/s 及最高 32GB/s 频宽达到，比原来的 DDR4 的 25.6 GB/s 频宽快 25 %。另一个改进了 DDR5 晶片的最高密度达到单条 64GB，并有望将晶片运行所需的电压降至 1.1V，比 DDR4 低 8% 左右。

从原厂的角度来看，SK-Hynix、Micron 在 CES 2020 期间已双双公布 DDR5 记忆体在技术层面上已经做好准备，一旦产业链配套的 Intel、AMD 等厂商做好准备，DDR5 家族的产品就可以正式上市。