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DRAM否极泰来 下半年将复苏

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-01-16
历经2017、2018年大多头行情后,全球DRAM(动态随机存取记忆体)市场从2018年第4季起开始走空,延续到2019年价格一路下滑,直到12月中开始一波反弹,DRAM市场现出一线曙光。

长达6季空头可望结束

以主流8Gb DDR4现货价走势来看,2019年元月现货价约6.4美元,到2019年6月底跌到约3.4美元低点。7月1日由于日韩的贸易冲突,使现货价快速反弹,7月19日达此波反弹的高点约4美元。之后再度一路下跌,直到2019年12月初跌到约3美元的低点,12月中开始反弹上涨约7%,价格弹升到约3.2美元。
这波价格反弹,显示DRAM供过于求已趋缓和,从2018年第4季开始的空头行情,有希望在今年下半年划下休止符,市场可望从下半年起复苏,结束长达6季的空头走势。
从整体市场来看,全球DRAM营收在2018年创下历史新高,达1012亿美元;2019年市场走空,全球营收滑落到725亿美元,年衰退28.3%;预估今年将达705亿美元,年衰退2.8%。
从供需来看,2020年DRAM的供需比由101.1%下降到100.4%,较2019年改善,显示供过于求已开始缓和。
逐季来看,第1、2季供给仍大于需求,从第3季起需求开始超过供给,也就是下半年起即可脱离供给过剩的泥淖。
预估今年DRAM位元(bits)供给量较2019年成长18%,而位元需求量年成长19%,在供给没有大幅增加,需求稳定成长下,市场将可拨云见日。
DRAM产业资本支出在2018年达到近年高点,约185亿美元,在不景气的冲击下,2019、2020年产业资本支出下修,分别约146亿、129亿美元,没有大幅资本支出,产能不会快速增加。
从去年起,由于愈来愈多智慧手机提高镜头数目,CIS(影像感测器)的需求量大幅增加,由于CIS制程与DRAM制程有不少类似之处,因此业者可将DRAM产线转换生产CIS。
过去DRAM供过于求时,若是NAND Flash(储存型快闪记忆体)市场还不错,业者常会将DRAM产线改成NAND Flash产线;同样地,若是NAND市况不佳,也可以改为DRAM产线。今年三星及SK海力士都有将DRAM产线转成CIS产线的计划,这可压抑DRAM产能的增加。 

伺服器手机需求估成长

今年每月DRAM晶圆投片量,预估将会较2019年的投片量减少约4.6%,由于制程技术的提升,每片晶圆的晶粒数增加,因此即使投片量下跌,DRAM位元数总产量仍可增加。
需求方面,最大的应用市场为智慧手机,占整体DRAM市场需求量约35%,其次为伺服器,占总需求量的28%左右。2019年智慧手机市场出货量小幅衰退,伺服器市场的表现也不理想,亚马逊、微软、脸书、谷歌等对伺服器及相关设备的下单皆很保守,这也是2019年DRAM市场表现不佳的原因之一。
今年智慧手机在5G带动下将可反弹成长,加上每支手机使用容量也会增加,因此需求面看好;伺服器经1年休养后,在5G、AI、物联网、智慧城市等应用蓄势待发下,将有显著地成长。供给没有失控,长期需求看好,DRAM市场将会迎来另一波多头行情。 



吴金荣
★年龄:1953年生,67岁
★现职:微驱科技总经理
★学历:台湾大学化工系毕业
★经历:
化学公司厂长
PC厂经理
Dataquest台湾区总经理
★专长:
高科技市场趋势分析,对半导体显示器产业动向有深刻认识与见解