DRAM否极泰来 下半年将复苏

历经2017、2018年大多头行情后，全球DRAM（动态随机存取记忆体）市场从2018年第4季起开始走空，延续到2019年价格一路下滑，直到12月中开始一波反弹，DRAM市场现出一线曙光。

以主流8Gb DDR4现货价走势来看，2019年元月现货价约6.4美元，到2019年6月底跌到约3.4美元低点。7月1日由于日韩的贸易冲突，使现货价快速反弹，7月19日达此波反弹的高点约4美元。之后再度一路下跌，直到2019年12月初跌到约3美元的低点，12月中开始反弹上涨约7%，价格弹升到约3.2美元。
这波价格反弹，显示DRAM供过于求已趋缓和，从2018年第4季开始的空头行情，有希望在今年下半年划下休止符，市场可望从下半年起复苏，结束长达6季的空头走势。
从整体市场来看，全球DRAM营收在2018年创下历史新高，达1012亿美元；2019年市场走空，全球营收滑落到725亿美元，年衰退28.3%；预估今年将达705亿美元，年衰退2.8%。
从供需来看，2020年DRAM的供需比由101.1%下降到100.4%，较2019年改善，显示供过于求已开始缓和。
逐季来看，第1、2季供给仍大于需求，从第3季起需求开始超过供给，也就是下半年起即可脱离供给过剩的泥淖。
预估今年DRAM位元（bits）供给量较2019年成长18%，而位元需求量年成长19%，在供给没有大幅增加，需求稳定成长下，市场将可拨云见日。
DRAM产业资本支出在2018年达到近年高点，约185亿美元，在不景气的冲击下，2019、2020年产业资本支出下修，分别约146亿、129亿美元，没有大幅资本支出，产能不会快速增加。
从去年起，由于愈来愈多智慧手机提高镜头数目，CIS（影像感测器）的需求量大幅增加，由于CIS制程与DRAM制程有不少类似之处，因此业者可将DRAM产线转换生产CIS。
过去DRAM供过于求时，若是NAND Flash（储存型快闪记忆体）市场还不错，业者常会将DRAM产线改成NAND Flash产线；同样地，若是NAND市况不佳，也可以改为DRAM产线。今年三星及SK海力士都有将DRAM产线转成CIS产线的计划，这可压抑DRAM产能的增加。 

今年每月DRAM晶圆投片量，预估将会较2019年的投片量减少约4.6%，由于制程技术的提升，每片晶圆的晶粒数增加，因此即使投片量下跌，DRAM位元数总产量仍可增加。
需求方面，最大的应用市场为智慧手机，占整体DRAM市场需求量约35%，其次为伺服器，占总需求量的28%左右。2019年智慧手机市场出货量小幅衰退，伺服器市场的表现也不理想，亚马逊、微软、脸书、谷歌等对伺服器及相关设备的下单皆很保守，这也是2019年DRAM市场表现不佳的原因之一。
今年智慧手机在5G带动下将可反弹成长，加上每支手机使用容量也会增加，因此需求面看好；伺服器经1年休养后，在5G、AI、物联网、智慧城市等应用蓄势待发下，将有显著地成长。供给没有失控，长期需求看好，DRAM市场将会迎来另一波多头行情。