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NAND Flash后市 可望胜过DRAM

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-06-04
封测大厂力成总座洪嘉金俞表示,欧美疫情持续发展,加上美中贸易战升级,业界普遍对下半年展望较上半年保守,不过,记忆体需求仍可望增加,目前看来NAND Flash(储存型快闪记忆体)后市可望胜过DRAM。
洪嘉金俞指出,今年预估DRAM用的容量与产能没有增加很多,因应用上除了手机的行动DRAM之外,PC用标准型或伺服器DRAM使用期限拉得较长,他预期今年DRAM成长力道不会很大,价格也可望趋平稳。

反观NAND Flash,他预期今年价格与需求量都将上升,因受惠于5G、人工智慧(AI)带动云端和其他终端需求成长,在家远距工作与线上学习应用带动网通设备、基地台、伺服器和资料中心需求增加。

调查显示美国商务部对华为出口管制升级,但目前观察对记忆体包含DRAM与NAND Flash影响有限,因禁令仍有120天缓冲期,加上华为为避免受禁制令影响,逐渐拉高零组件库存,预期禁令对华为终端出货造成具体冲击的时间点最快会落在今年第4季以后。

DRAM厂南亚科昨公布5月合并营收为55.5亿元,较4月减少1.24%,较去年同期增加30.76%,呈现高档水准。南亚科总经理李培锳日前表示,宅经济带动云端、网通与个人电脑需求强劲,目前相关需求仍不错,看来可望延续到第3季,预期DRAM合约价有机会持续上扬。

记忆体模组厂十铨总经理陈庆文表示,因疫情持续影响,高速运算模组及固态硬碟(SSD)等需求递延,冲击产品平均销售单价(ASP)下滑,公司第2季营收与获利将较第1季下滑,但可望维持跟去年同期相当的水准。他预期随疫情减缓,第4季起市况动能可望回复,5G基础建设将是带动记忆体产业的主要动力,资料运算储存及终端智慧设备的递延性爆发值得期待。