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PLC SSD 超短寿命? 颗粒只能 35 次完全擦写!

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-07-01
SSD 固态硬碟内的快闪颗粒已经开始由 TLC (Triple-Layer Cell) 转向 QLC (Quad-Level Cell),而下世代 PLC (Penta-Level Cell) 也开始登场,但从最新的报告指,PLC 的完全擦写原来只有 35 次,代表 PLC SSD 寿命将极短。
  • PLC SSD 超短寿命
  • PLC 颗粒只能 35 次完全擦写
  • 还取决于制程技术
TLC (Triple-Layer Cell) 快闪颗粒内,每个 Cell 可储存 3-bit 资料、QLC 为 4-bit,而 PLC 则进一步提升至 5-bit。每个写入动作的电压变化级别,TLC 及 3D TLC 为 8 级,QLC 为 16 级,而 PLC 则达到 32 级,故 PLC 不适宜经常进行读写,写入寿命更短。
每个写入动作的电压变化级别,TLC 及 3D TLC 为 8 级,QLC 为 16 级,而 PLC 则达到 32 级,故 PLC 不适宜经常进行读写,写入寿命更短。

 TLC 采用 5xnm 制程 P/E (完全擦写) 寿命可高达 2500,而转用 3xnm、2xnm、1xnm 制程后,P/E 寿命则下降至约 1250、750 及 500 次,而 PLC 则更跨张,在 1xm 制程下 P/E 寿命只有 35 次。不过,这个数据均只是 2D NAND Flash 下的估预,如换上 3D NAND Flash 配合多层堆叠及使用 2xnm 甚至至 3xnm 制程的话,寿命则可延长,但仍只适合作“Cold Storage”(冷储存) 应用。

换上 3D NAND Flash 配合多层堆叠及使用 2xnm 甚至至 3xnm 制程的话,PLC 寿命则可延长。