打破定律 !! QLC 才不是垃圾 Micron : 我的 QLC SSD 寿命比 TLC 高 20%

很多玩家听到 QLC SSD 就摇头说不，虽然 QLC NAND Flash 令容量再提升33%、成本降低，但代价就是写入寿命越来越低，不过 Micron 在过去两年不断改良 QLC 颗粒制程，同时透过更多的堆栈层数，打破了 QLC 寿命比 TLC 的局面，采用 QLC 颗粒的 Micron 2210 系列 SSD 相较旧版 TLC 颗粒 Micron 2200 系列 SSD 寿命还要高 20%。

首次我们要先知道一些 NAND Flash 基本特性，随着 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技术升级，由于需要更复杂的电压层级控制，令 P/E 寿命因而降低了，另外制程工艺升级亦会令P/E寿命下降。究竟下降有多严重呢 ?  SLC 采用老旧的 5xnm 制程 P/E 寿命可达 11,000，但转用先进的 1xnm 制程，P/E 寿命会下降至只有约 5,000 次，和 3xnm的 MLC 的 P/E 寿命相约。

现在 TLC SSD 已经成为了主流，大约可以看到它在 1xnm 制程下只余下 500次，如果转入 QLC 的话会跌至 70 次，PLC 就更惨大约只有 35次，理论上就是全写满 35次就要升天了。

不过 Micron 打破了这个局面，在过去年两中透过改良 QLC 颗粒制程，同时将堆栈层数由 96 层甚至 128 层，令 QLC 颗粒的 P/E 寿命大幅提升，全新 QLC 颗粒的 Micron 2210 系列 SSD 数据寿命超越了采用 TLC 颗粒的 Micron 2200 系列 SSD。以 1TB 型号为例，Micron 2200 SSD 1TB 写入寿命为 300TBW，但 QLC 版本的Micron 2210 SSD 1TB 却提供 360 TBW，QLC 版本比 TLC 版本寿命还高出 20%。

虽然目前市场上仍以 TLC 颗粒 SSD 为主流，但 Micron 的 QLC 颗粒出货比例已增至 10%，随着 QLC 颗粒逐渐成熟，Micron 预期明年大容量 SSD 产品普遍用转入 QLC 颗粒。