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台工研院、台积卡位MRAM 技术具优势

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-08-12
台湾工研院投入MRAM的新兴记忆体研发已达十年以上。台工研院去年底于IEDM发表下世代FRAM与MRAM技术。
工研院电子与光电系统研究所所长吴志毅昨表示,人工智慧(AI)与5G时代来临,高速运算需另搭功能更强的新兴记忆体辅助,逻辑IC将磁阻随机存取记忆体(MRAM)等新兴记忆体的异质整合势在必行,工研院开发MRAM技术已有超过十家半导体厂商进行技术授权或合作。工研院投入MRAM的新兴记忆体研发已达十年以上,吴志毅说,已累积很多的人才与矽智财(IP),他不便透露与台积电等厂商的合作,但已有超过十家半导体厂商进行技术授权或合作,且可确定台积电在新兴记忆体发展,工研院会有所贡献;半导体产业链对生产MRAM,从材料到设备已逐渐完备,预计两到三年将可看到一些物联网的应用产品出现。
 半导体年度盛事“超大型积体电路技术研讨会”(VLSI)昨在新竹国宾饭店登场,今年大会聚焦最热门的AI、5G、量子电脑、生物电子医学等相关技术发展与未来趋势探讨,与会专家看好具备AI的产品,搭配5G无线通讯,将同步带动高速运算与大量储存等需求,可望推升半导体产业下一波的成长契机。吴志毅指出,AI与5G时代来临,突破既有运算限制的新兴记忆体将在未来扮演更重要角色;有别于目前市场主流的DRAM、Flash,MRAM能内嵌在逻辑IC的处理器中,具备非挥发性、读写速度快、稳定性与储存时间长,适合高速运算的需求。他认为,三星、美光等记忆体大厂以生产大量标准化的DRAM、Flash为主,若要切入新兴记忆体发展,技术门槛难度高,台积电拥有逻辑制程技术,要将新兴的MRAM内嵌在逻辑IC的处理器中,将占有优势。