台工研院、台积卡位MRAM 技术具优势

台湾工研院投入MRAM的新兴记忆体研发已达十年以上。台工研院去年底于IEDM发表下世代FRAM与MRAM技术。

工研院电子与光电系统研究所所长吴志毅昨表示，人工智慧（AI）与5G时代来临，高速运算需另搭功能更强的新兴记忆体辅助，逻辑IC将磁阻随机存取记忆体（MRAM）等新兴记忆体的异质整合势在必行，工研院开发MRAM技术已有超过十家半导体厂商进行技术授权或合作。工研院投入MRAM的新兴记忆体研发已达十年以上，吴志毅说，已累积很多的人才与矽智财（IP），他不便透露与台积电等厂商的合作，但已有超过十家半导体厂商进行技术授权或合作，且可确定台积电在新兴记忆体发展，工研院会有所贡献；半导体产业链对生产MRAM，从材料到设备已逐渐完备，预计两到三年将可看到一些物联网的应用产品出现。
 半导体年度盛事“超大型积体电路技术研讨会”（VLSI）昨在新竹国宾饭店登场，今年大会聚焦最热门的AI、5G、量子电脑、生物电子医学等相关技术发展与未来趋势探讨，与会专家看好具备AI的产品，搭配5G无线通讯，将同步带动高速运算与大量储存等需求，可望推升半导体产业下一波的成长契机。吴志毅指出，AI与5G时代来临，突破既有运算限制的新兴记忆体将在未来扮演更重要角色；有别于目前市场主流的DRAM、Flash，MRAM能内嵌在逻辑IC的处理器中，具备非挥发性、读写速度快、稳定性与储存时间长，适合高速运算的需求。他认为，三星、美光等记忆体大厂以生产大量标准化的DRAM、Flash为主，若要切入新兴记忆体发展，技术门槛难度高，台积电拥有逻辑制程技术，要将新兴的MRAM内嵌在逻辑IC的处理器中，将占有优势。