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SK海力士将于明年下半年量产第四代(1a nm)DRAM

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-10-30
据韩媒报道,SK海力士表示,其计划将于明年下半年开始在利川厂区M16采用EUV设备生产第四代(1a nm)DRAM产品。
SK海力士总裁李石熙表示M16工厂将于今年底建成,明年上半年开始引入制造设备,目前实验室正在进行准备工作,预计明年开始批量生产1a nm DRAM。
目前,在内存市场上,仅三星电子和SK海力士宣布将在下一代DRAM产品中采用EUV技术,美光何时应用还不得而知。业内人士认为,EUV导入进度可能会成为打破内存三巨头格局的开端。