三星加大存储器晶圆代工投资

三星加大记忆体晶圆代工投资综合媒体消息透露，三星在今年的资本支出将着重于NAND Flash记忆体及晶圆代工的技术升级及产能扩充，包括176层3D NAND的第7代V-NAND产品线进入量产，以及扩建极紫外光(EUV)产能，以因应5纳米及3纳米晶圆代工的强劲需求。至于DRAM产能建置在去年已完成，今年投资金额及扩产规模相对保守。

三星今年的记忆体投资将以NAND Flash为主体，主要策略点是为了拉开与竞争对手铠侠(Kioxia)、美光、SK海力士等技术及产能差距。该公司虽然领先同业发布176层3D NAND技术，但美光及SK海力士在去年底已宣布在相关技术取得突破，所以三星面临被对手后来居上的压力。

第二大厂铠侠与合作伙伴威腾(WD)持续扩建NAND Flash新厂，包括在日本岩手县北上市新厂K1已小量生产，K2厂已计划今年上半年动工，预计明年上半年开始生产。对三星而言，对手积极扩产及技术升级加速，加上SK海力士将收购英特尔NAND Flash事业，所以今年势必更积极加码在NAND Flash投资。据悉，该公司的中国西安厂二期第一阶段已量产，第二阶段在今年下半年完工。晶圆代工方面，三星的南韩华城厂已在去年量产采用EUV技术的5纳米制程，平泽厂也扩大5纳米产能因应强劲晶圆代工需求。虽然三星要在产能规模追上台积电仍有难度，但其今年将投下巨资扩建EUV产能及加速3纳米制程研发，希望明年3纳米可投入量产。