北美半导体设备出货创高 重头戏EUV量产DDR5及200层Nand Flash

SEMI（国际半导体产业协会）公布北美半导体设备出货报告，2021年1月份设备制造商出货金额达30.402亿美元，创下历史新高纪录。由于半导体市场需求畅旺且产能供不应求，晶圆代工厂及IDM厂的逻辑制程产能订单满到下半年，DRAM及NAND Flash价格止跌回升带动记忆体厂加快新制程量产，预期今年全球半导体设备投资将创下历史新高。
根据SEMI统计，2021年1月北美半导体设备制造商出货金额首度突破30亿美元大关、来到30.402亿美元历史新高，较2020年12月的26.808亿美元成长13.4％，与2020年1月的23.402亿美元相较成长29.9％。
SEMI全球行销长暨台湾区总裁曹世纶表示，北美半导体设备1月的出货金额创下历史新高，是今年好的开始，说明了数位转型加速推动对半导体设备强劲而持久的需求。
全球半导体厂今年资本支出预期将创新高，对半导体设备采购金额也将创下历史新高，法人看好资本支出概念股直接受惠，包括汉唐、帆宣、信纮科等厂务工程业者今年在手订单续创新高，设备及备品供应商京鼎、弘塑、意德士等同步受惠且接单畅旺，对今年展望抱持乐观看法。
另外，今年半导体产能供不应求，包括台积电、三星、SK海力士、英特尔等今年均将扩大极紫外光（EUV）产能建置，EUV产能会持续放大，法人亦看好极紫外光光罩盒（EUV Pod）供应商家登、EUV设备代工厂帆宣、EUV机台精密零件厂公准等业者今年营运，订单能见度已看到下半年。
由制程推进来看，晶圆代工厂今年资本支出重头戏除了扩大EUV产能因应客户强劲需求，逻辑制程也将开始由5奈米推进至3奈米，台积电预期下半年3奈米开始试产，明年就可进入量产阶段。至于IDM龙头大厂英特尔已加快自有产能建置，10奈米产能进入量产，7奈米研发加速进行，并会在7奈米制程开始导入EUV技术。
在记忆体厂部份，DRAM厂今年加速由1z奈米跨入1a奈米，包括三星、SK海力士已经开始采用EUV微影技术生产DRAM，且产品线则开始转进DDR5及LPDDR5。至于NAND Flash厂今年投资重点锁定在3D NAND堆叠层数升级，预估170层以上3D NAND可在今年导人量产，研发则开始朝向200层迈进。