农历年后，中国DRAM需求暴增推动DRAM现货价飙

由于三大DRAM厂去年资本支出相对保守，加上调拨20奈米世代旧制程产能生产CMOS影像感测器（CIS）或投入晶圆代工，导致今年以来产能供不应求，并推升1月现货价及合约价同步调涨。

然而中国农历年后需求不减反增，加上业界传出三大DRAM厂已通知客户无法保证第二季足额供货，造成现货价上周大涨10～15％，缺货严重的2Gb DDR3更在上周飙涨逾30％。
由于标准型、利基型、伺服器等各应用别DRAM现货价全面飙涨停不住，加上预期三大DRAM厂将在3月之后采配额销售（allocation），业界预期DRAM供不应求将导致价格一路涨到年底。法人看好南亚科（2408）、华邦电（2344）、晶豪科（3006）、钰创（5351）等DRAM类股营运逐季成长且旺到年底。
包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂去年投资重心放在制程升级，今年虽然有新产能陆续投入量产，但主要是用于填补制程由1z奈米微缩至1a奈米导致的产能自然减损，加上三星及SK海力士将旧制程移转生产CIS元件或转为晶圆代工，DRAM总投片量几乎与去年持平，位元供给量增加幅度十分有限。
不过，中国农历年后DRAM需求呈现跳跃成长，包括5G智慧型手机搭载行动式DRAM平均容量较4G手机增加逾五成，英特尔及超微新平台笔电DRAM主流搭载容量倍增至16GB，资料中心及伺服器出货转强带动伺服器DRAM强劲需求。由于上半年并无新产能开出，但需求大幅提升已造成供货严重吃紧，业界传出，三大DRAM厂已通知客户无法保证第二季能够足额供货，造成DRAM抢货风潮再起，现货价近日持续飙涨。
标准型8Gb DDR4现货价上周大涨10％达4.8～4.9美元，预期本周将一举站上5美元大关并创近二年新高。利基型4Gb DDR3现货价上周大涨逾15％达3.5美元，预期近期将上看4美元，至于缺货严重的利基型2Gb DDR3现货价上周大涨逾30％达2.85美元，预期本周将涨破3美元并改写五年来新高。
受惠DRAM现货价大涨，南亚科1月合并营收55.32亿元，华邦电1月合并营收69.03亿元，钰创1月合并营收3.41亿元，表现均优于预期。去年争取到低价DRAM晶圆产能的晶豪科1月合并营收16.32亿元创历史新高，自结单月税后净利1.39亿元，较去年同期成长157％，每股净利0.48元优于预期。法人看好价格涨势延续到下半年，将带动DRAM厂今年营运逐季成长且一路看旺到年底。