吴敏求：旺宏19奈米SLC NAND产品良率极佳

记忆体厂旺宏董事长吴敏求在致股东报告书中表示，19 奈米 SLC NAND Flash 系列产品良率极佳，新品新应用陆续进入验证阶段；3D NAND 方面，48 层产品已完成开发，将朝 192 层堆叠技术的目标冲刺。
吴敏求指出，近年来，旺宏在 NAND 与 3D 堆叠技术上，提出多篇兼具学术与商业价值的论文及相关专利，并超前部署下世代记忆体产业技术。去年研发费用约占全年营收 10%，主要投注在前瞻性技术的研发与生产制程的精进，截至去年底，已累计拥有全球 8320 件专利。
关于制程与产品发展，吴敏求指出，NOR Flash 制程朝 45 奈米推进；且 256Mb 以上高密度产品占 NOR Flash 营收比重逐年增加，去年已达 36%；而公司在车用、工业、医疗及航太等高品质应用领域的 NOR Flash 营收占比达 27%，未来可望成为 NOR Flash 产品主要成长动能。
在 NAND Flash 方面，吴敏求指出，19 奈米 SLC NAND Flash 系列产品良率极佳，新产品新应用也陆续进入验证阶段。至于 3D NAND 方面，已完成第一阶段 48 层产品开发，量产后将可逐步贡献营收，将朝 192 层堆叠技术的目标冲刺。
随着人工智慧 (AI)、5G、物联网 (IoT) 等新型应用，以及车用电子、工业应用、行动装置等数位科技之蓬勃发展，记忆体晶片应用领域更为广泛。
吴敏求表示，旺宏 19 奈米 Serial NAND Flash，率先在应用上提出由主晶片处理 ECC 的创新主张，已成为最佳品质及成本效率典范；19 奈米 SLC NAND 记忆体也取得 NAND 重要成本优势，全面进入业界领先制程。
此外，由于物联网 (IoT)、智慧装置资安防护日趋重要，车用电子系统整合度与复杂度也越来越高，吴敏求指出，旺宏 ArmorFlash 已具备关键的安全性元件设计，预期未来，高阶安全记忆体必将扮演关键的角色。