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三星研发出CXL介面基底DRAM记忆体技术

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2021-05-11
韩联社报导,三星电子(005930 KS)周二宣布,以CXL(Compute Express Link)互联标准为基础,已研发出新的DRAM记忆体技术,可用来提升数据中心的效能。 三星揭露了业界首款可支援先进CXL介面的第五代双倍资料率(DDR5)DRAM记忆体设备。
CXL是种开放式产业等级互联,基于PCI-E 5.0介面,可以促使主机处理器和装置间的高速、低延迟传输。
不同于记忆渠道有限的传统DDR记忆体,三星称自家CXL为基底的DRAM装置可扩充记忆容量至兆位元组水准,同时降低系统延滞。
三星补充,这类记忆体能完美满足数据密集的应用,比如人工智能,以及数据中心的高效运算工作量。
三星称,此产品采用了企业与资料中心固态硬碟外观规格(EDSFF),以扩大其CXL基底的DRAM记忆容量。
三星也把数种控制器与软体解决方案,像是记忆体对映、介面转换与错误管理结合在这产品上,如此运算系统可以认出此产品并将之作为主记忆体。
自从2019年组成CXL结盟,三星就和数据中心、伺服器与小晶片制造商合作开发下一世代介面技术。
三星称,产品已获得英特尔新一代伺服器平台认证,并且会在未来商用化。