应材DRAM微缩材料方案，可望注入数十亿美元营收

半导体设备与材料龙头厂应用材料积极抢攻记忆体商机，推出DRAM微缩的材料工程解决方案，进一步微缩DRAM并加速改善晶片效能、功耗和单位面积成本和上市时间(PPACt)，且应材正与客户合作将此三种材料导入商业化。
应材提到，这三款解决方案适用于DRAM晶片的三项领域，包括储存电容器，金属导线互连布线和逻辑电晶体。这些装置正逐渐投入大量生产，并有望在未来数年内显著增加应材DRAM业务的营收。
Draco硬质光罩材料与Sym3 Y蚀刻系统共同最佳化，可加快DRAM电容器微缩进程DRAM制造商采用应材率先推出的Black Diamond低k值介电材料技术，克服逻辑电路中的导线互连微缩挑战高k值金属闸极电晶体现已导入先进DRAM设计之中，藉此提高效能并降低功耗，同时缩小周边逻辑电路以改善面积和成本效益，而首批HKMG DRAM也已问世。基于上述DRAM技术转变在未来数年间的发展，应用材料预期可增加数十亿美元的营收。
在全球经济数位转型的带动下，DRAM的市场需求不断创造新高。物联网在终端建立数千亿个新型运算装置，促使传输到云端处理的资料激增。业界迫切需要突破，以利实现DRAM微缩，进而减少面积和成本，同时以更高的速度和更低的功耗运作。