三星宣布量产 EUV 制程 14 nm DDR5

三星宣布开始量产EUV制程技术的 14 奈米 DRAM，并将计划扩展至其他产品组合
三星宣布已开始量产极紫外光 （EUV）制程技术的 14 奈米 DRAM。根据最新 DDR5 标准显示，三星的 14 奈米 DRAM 将开创过去产品所未有的传输速度：高达 7.2Gbps，比 DDR4 的 3.2Gbps 快超过两倍。
三星表示，与上一代产品相比，每片晶圆的产能提高 20%，不过与前一代相比，每个晶片的功耗也能改善约 20%。
这款 EUV 制程技术的 14 奈米 DRAM，继去年 3 月三星推出首款 EUV DRAM 后，又将 EUV 层数增加至 5 层，为 DDR5 解决方案提供更为优质、先进的 DRAM 工艺。
三星高级副总裁兼 DRAM 产品与技术主管 Jooyoung Lee 表示，三正星透过多层 EUV 技术，树立一个新的里程碑，实现更加微型化的 14 奈米工艺，而这也是传统氟化氩 （ArF）制程无法做到的。
在此基础上，三星将继续提供极具差异化的记忆体解决方案，充分满足 5G、AI 和元宇宙等数据驱动时代，对更高性能和更大容量的需求。
三星提到还会持续使用 EUV 技术到更多层的 14 奈米 DRAM 上，以保持自身在记忆体产业的领导地位。
三星计划扩展其 14 奈米 DDR5 的产品组合，以支援资料中心、超级电脑和企业伺服器的应用。此外，三星预计将 14 奈米 DRAM 晶片容量提升至 24Gb，以满足全球 IT 系统快速成长的数据需求。