兆易创新扩大投入DDR3 二因素撑腰台厂不受波动

兆易创新今年来积极切入 DRAM 领域，明年更将进一步扩大 DDR3、DDR4 在长鑫存储的投片量，在红色供应链大举来袭下，市场忧心恐干扰明年利基型 DDR3 记忆体市况，不过，中国台湾业者认为，受限专利认证等疑虑，即便明年兆易创新相关产能增加，对整体市场也不会有太大影响。
三星为扩大投入 CMOS 影像感测器，以分食大厂 SONY 的市占率，已通知 4G DDR3 客户，明年不再生产 DDR3；在三星淡出市场下，有助 DDR3 价格稳定，市场供给缺口也再度出现。
中国台湾钰创认为，记忆体需求并未降温，且在市场供给转紧下，根本没有降价空间，看好明年第一季或第二季，利基型 DRAM 可能又会缺货；晶豪科 (3006-TW) 也预期，随着 5G、物联网等应用持续增加，明年利基型 DRAM 供需仍将吃紧，不会有跌价压力，第二季甚至有机会全面涨价。
就在市场对明年 DDR3 记忆体前景一片看好之际，传出兆易创新将扩大投入 DDR3 领域，加入分食市场份额，为利基型 DRAM 市况再掀波澜。
兆易创新主力产品为 MCU、NOR Flash 及感测器等，去年起开始销售 DRAM，与长鑫存储紧密合作，今年 6 月更推出首款自有品牌 DRAM 产品。
从今年前 11 月来看，兆易创新自有品牌 DRAM 交由长鑫代工金额仅 0.3 亿美元，但兆易创新表示，随着公司不断推出自研 DRAM 新品，由长鑫存储代工的 DDR3、DDR4 金额将大幅增加，预估明年相关金额将拉升至 1.35 亿美元。
市场原先乐观看待明年利基型 DRAM 市况，但在红链来袭下，市场开始忧心恐干扰明年 DDR3 价格走势。不过，包括中国台湾南亚科、华邦电等台厂认为，专利认证等议题仍是阻挠中国大陆 DRAM 厂取得国外订单的最大痛点。
业者认为，相关 DRAM 产品会优先销往对品质标准较低的消费性市场，或部份不须太严格认证的低阶市场，以中国国内自有需求为主，要销往海外有一定的难度，对整个市场没有太大影响。