南亚科12吋新厂动土 拚三年投产

南亚科12吋新厂昨（23）日动土，董事长吴嘉昭表示，新厂总投资额3,000亿元，目标三年内投产，以公司自主研发的10奈米级制程技术切入，月产能可达4.5万片，年产值可增加700亿元以上，扩大台湾DRAM产业发展。
吴嘉昭表示，DRAM是所有电子产品智慧化关键零件，近期发展的AI、大数据、5G与自驾车、物联网需求增加，预估每年位元成长率可达15%至20%。南亚科为掌握关键DRAM技术，自主研发10奈米级制程，五年来研发经费增加三倍，研发人员扩充至千人规模。
南亚科指出，新厂是一座双层无尘室12吋厂，基地包含“主厂房”、“研发大楼”及“水资源再生中心”，同时也将兴建极紫外光（EUV）曝光微影设备独立厂房，以因应未来先进制程导入的需求，采用公司自主研发的10奈米级（1A、1B、1C、1D）制程技术生产DRAM晶片，并将运用“AI智慧制造”技术，全面提升制程效率。