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南亚科12吋新厂动土 拚三年投产

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-06-24
南亚科12吋新厂昨(23)日动土,董事长吴嘉昭表示,新厂总投资额3,000亿元,目标三年内投产,以公司自主研发的10奈米级制程技术切入,月产能可达4.5万片,年产值可增加700亿元以上,扩大台湾DRAM产业发展。
吴嘉昭表示,DRAM是所有电子产品智慧化关键零件,近期发展的AI、大数据、5G与自驾车、物联网需求增加,预估每年位元成长率可达15%至20%。南亚科为掌握关键DRAM技术,自主研发10奈米级制程,五年来研发经费增加三倍,研发人员扩充至千人规模。
南亚科指出,新厂是一座双层无尘室12吋厂,基地包含“主厂房”、“研发大楼”及“水资源再生中心”,同时也将兴建极紫外光(EUV)曝光微影设备独立厂房,以因应未来先进制程导入的需求,采用公司自主研发的10奈米级(1A、1B、1C、1D)制程技术生产DRAM晶片,并将运用“AI智慧制造”技术,全面提升制程效率。