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Micron 首次推出 232 层 NAND SSD

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-12-09
美国半导体制造公司美光科技(Micron)最近宣布,已开始批量出货首次推出 232 层 NAND SSD。公司称 SSD 提供出色的 PCIe Gen4 性能,目前已交给全球个人电脑 (PC) 原始装置制造商,用于手提和桌上电脑。
Micron 表示,首次推出的 2550 SSD 采用 232 层 NAND 技术,与上一代 SSD 速度相比,传输文件的速度提高了 112%,加载主流游戏的速度提高了 57%、创建应用的速度提高 78%。
此外,新SSD读取性能每秒达 5GB Byte、连续写入性能每秒达4GB Byte,比上代SSD快了1.3-1.4倍,同时新产品的主动闲置功耗低于150 mW,主动功耗低于5.5 W。Micron 指其 2550 SSD 通过缓冲技术,提供出色的 PCMark 10 性能分数和较长的电池寿命改善了用户体验,还为电脑系统设计提供了具有正确性能、尺寸、重量和容量组合的灵活性。例如它提供三种外形规格:22x30 mm、22x42 mm和 22x80 mm,容量选项从 256 GB 到 1 TB。
但有中国媒体《快科技》报道,其实此前半导体制造公司长江存储(YMTC)已量产 X3-9070,用于致态 TiPlus7100 系列 SSD,还已经被用在海康威视的 CC700 2TB SSD 上,是首个进入零售市场的 200+层 3D NAND 快闪记忆体。
除了这些科技公司外,韩国 SK 海力士也研发全球首款业界最高层数的 238 层 NAND 快闪记忆体;韩国 Samsung 在上个月亦宣布,已开始批量生产采用第 8 代 V-NAND 技术,达1Tb(128GB)TLC 3D NAND 快闪记忆体晶片,达到了 236 层。