Galaxy S24 系列有望率先装备LLW DRAM
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2023-12-01
11 月 30 日消息，三星公司今天发布公告，针对设备端本地运行 AI 的需求，特别研发了 LLW（Low Latency Wide IO）DRAM，其性能优于现有的 LPDDR 解决方案。LLW DRAM 通过垂直集成存储器和逻辑电路，从而实现更高的效率和延迟。
三星半导体今天通过官方 X 平台账号，发布了一段关于 LLW DRAM 的介绍视频，该 DRAM 刻适用于智能手机、笔记本电脑和 VR 头显。
三星在今年年初的 Tech Day 上首次展示了 LLW DRAM，然后在 Memory Tech Day 上再次展示了其 LPDDR5X CAMM2 解决方案。除此之外，该视频还展示了一款集成了 LLW DRAM 的手机，因此，未来的 Galaxy 设备似乎可能会采用相同的解决方案，从而提高性能。广告中展示的手机确实与当前一代三星设备非常相似，应该是即将推出的 Galaxy S24 系列。三星也不是第一家实施 LLW 的公司，苹果的 Vision Pro 头显使用扇出晶圆级封装（FOWLP），将 R1 芯片与 LLW DRAM 封装在一起。
三星半导体今天通过官方 X 平台账号，发布了一段关于 LLW DRAM 的介绍视频，该 DRAM 刻适用于智能手机、笔记本电脑和 VR 头显。
三星在今年年初的 Tech Day 上首次展示了 LLW DRAM，然后在 Memory Tech Day 上再次展示了其 LPDDR5X CAMM2 解决方案。除此之外，该视频还展示了一款集成了 LLW DRAM 的手机，因此，未来的 Galaxy 设备似乎可能会采用相同的解决方案，从而提高性能。广告中展示的手机确实与当前一代三星设备非常相似，应该是即将推出的 Galaxy S24 系列。三星也不是第一家实施 LLW 的公司，苹果的 Vision Pro 头显使用扇出晶圆级封装（FOWLP），将 R1 芯片与 LLW DRAM 封装在一起。
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