61.4 亿美元补助加 75 亿美元贷款，美光补助也到手

美国政府宣布，根据双方签订的不具约束力的初步备忘录，美国政府将根据 《芯片与科学法案》 向存储器大厂美光提供最多 61.4 亿美元直接补贴。另外，还将提供 75 亿美元的低利贷款，以支持美光在美国的半导体产线投资。
先前，美光曾经表示，到 2030 年前将在美国投资 500 亿美元，在纽约州建设两座先进 DRAM 存储器超级晶圆厂。另外，在美光总部所在地的爱达荷州也将兴建一座先进 DRAM 存储器晶圆厂。其中，在爱达荷州的晶圆厂将于 2025 年完工，2026 年正式开始 DRAM 的生产。至于，美光在纽约州的首座晶圆厂，预计 2025 年开始建设，2028 年完工。
美光预计长期 500 亿美元的投资金额，是美光整体 1,250 亿美元投资计划的一部分。包括美光在纽约州投资共计 1,000 亿美元，到 2041 年兴建完成四座超级晶圆厂，而爱达荷州则市投资 250 亿美元。而这些兴建的晶圆厂，每座晶圆厂的无尘室面积都将达到 600,000 平方英尺。美光预计，2030 年完工前三座晶圆厂之后，将推动美国在全球先进存储器制造领域的市占率，从现在的不到 2%，成长至 2035 年约 10%。这也将符合美国政府利推崇回半岛体制造领先地位的目标，因此提供相关的资金补助。
美光还强调，未来的二十多年中，美光先进的五座晶圆厂将创造 11,000 个企业内部工作职缺，以及 9,000 个建筑工作职缺，再加上 55,000 个间接工作职缺。而根据双方签订的备忘录，在获得政府 61.4 亿美元的资金补助之后，美光还可获得至高 75 亿美元的贷款。而且，美光也有资格获得美国财政部的投资税收抵免，再加上纽约州政府也将提供价值 55 亿美元的奖励措施。