SK海力士Q1转盈 NAND Flash事业恢复获利

韩国存储器芯片大厂SK海力士（SK Hynix）上季（1至3月）营收高达12.43兆韩元（约90.2亿美元），创下历年同期新高。上季营业获利2.89兆韩元，较前一季增加6倍以上，并创下历年同期次高纪录，再再反映AI需求火热。
SK海力士上季营收与去年同期相比增加1倍以上。上季营业获利率23％，较前一季足足增加20个百分点。上季净利1.92兆韩元，与去年同期相比转亏为盈，是2022年第三季以来首度达成净利。
SK海力士表示上季除了应用于AI服务器的高频宽存储器（HBM）芯片大卖之外，高获利的企业级固态硬盘（eSSD）销售比重也增加，带动整体NAND Flash芯片事业复苏。
前两年全球不景气打击消费需求，造成存储器芯片库存堆积、价格暴跌。SK海力士及三星电子等芯片大厂相继减产以对，导致SK海力士连5季亏损。去年AI市场爆炸性成长为HBM为首的高阶DRAM芯片创造庞大需求，让SK海力士DRAM事业在去年恢复获利，NAND Flash事业也在上季恢复获利。
SK海力士25日表示整体存储器芯片市场已走出低迷，预期未来几个月持续成长，除了HBM芯片需求快速升温之外，传统DRAM芯片需求也可望在下半年复苏。
为了抢攻AI商机，SK海力士表示将尽速提高HBM3E芯片产能，并预计在今年推出32GB DDR5芯片。SK海力士日前已宣布将在韩国清州市投资20兆韩元兴建一座DRAM封装厂，预计明年11月前完工并开始量产。