SK 海力士拟在 -70°C 生产 3D NAND

SK 海力士正在测试东京威力科创（TEL）最新的低温蚀刻工具，可在 -70°C 工作，以实现 400 层以上新型 3D NAND。
消息人士透露，SK 海力士已将测试晶圆送至 TEL 实验室测试，而不是装在自家晶圆厂。这有助 SK 海力士评估潜力，TEL 新型蚀刻设备可在 -70°C 超低温高速蚀刻，与 0~30°C 现有蚀刻设备不同。
TEL 最新蚀刻设备可在短短 33 分钟内完成 10 微米深高深宽比蚀刻，比现有工具快三倍以上，为氧化物蚀刻。大幅提高 3D NAND 生产效率，有望重塑 3D NAND 设备的生产时间和产出品质。
消息人士指出，SK 海力士将在 321 层 NAND 使用三层堆叠（triple-stack）结构。要蚀刻均匀性良好的深层记忆体通道孔是大挑战，业界大都采用双层堆叠甚至三层堆叠制造 3D NAND，因蚀刻垂直孔相当困难。
因此采用 TEL 新型蚀刻设备后，未来可能以较少堆叠层数制造 400 层以上 3D NAND。SK 海力士目标是生产 400 层以上 NAND，且根据性能，这些 NAND 有机会采单层或双层堆叠结构。
当使用更少堆叠封装更多层数，能使记忆体制造商降低成本，因制程变简单。此外，SK 海力士和三星也在研究使用低温蚀刻设备，以降低碳排放。
TEL 设备以氟化氢代替氟化碳，大量减少温室气体排放，三星也在自家晶圆厂测试 TEL 试用版。