HBM4 成韩系存储器下个战场，三星自认有优势夺回领先

人工智慧市场需求大增，HBM 供不应求，SK 海力士表示今明两年 HBM 都预订一空，一直希望追上 SK 海力士的三星，也传出采双轨开发 HBM 产品。
韩国媒体 THE ELEC 引用消息人士说法，三星新成立 HBM 团队 3 月开始从工作小组转为常设办公室，专注 HBM4 开发。以 HBM4 为主原因，是采第六代 1c 制程 DRAM 晶片，可搭配 AI 晶片，需求量非常大。
三星 HBM3E 即将量产，是由现在 DRAM 团队负责。工作小组转成常设办公室后验证的确加速 HBM 开发，办公室由存储器业务主管 Lee Jung-base 领导，藉重组关键员工增强竞争力。
三星计划 2025 年提供客户 HBM4 样品，2026 年量产。SK 海力士也计划 2025 年底量产 12 层 DRAM 堆叠 HBM4，代表 SK 海力士量产时程还是比三星早。
三星 2019 年解散 HBM 团队，为 SK 海力士以 HBM3 拿下巨大市占率打好基础。消息人士指出，三星相信可用 HBM4 重新夺回领先，并比竞争对手产品更好。与 SK 海力士相比，三星 HBM 为热压缩非导电薄膜 (TC-NCF)，抗弯曲特性能制造更多层 DRAM 堆叠 HBM。
三星认为还有一个优势，就是自家有晶圆代工。从 HBM4 开始，三星 HBM 最底层控制晶片都是自家晶圆代工，而 SK 海力士是与台积电签署备忘录。