英特尔吃光初期 ASML High NA EUV 产能，但要获青睐还有路得走

英特尔日前宣布，完成世界首套商用高数值孔径 （High NA）EUV 曝光机的安装，而这套资约 3.5 亿美元的庞然大物，计划在年底前正式启用。首先将在 intel18A 上进行训练与开发制程技术，之后在 intel14A 上进行量产。

根据韩国媒体 TheElec 的报导，生产 High NA EUV 的荷兰商艾司摩尔 (ASML) 截至 2025 年上半年为止，绝大部分 High NA EUV 曝光机的订单已经由英特尔全部吃下，包括 2024 年计划生产的五套曝光机将全部运给英特尔使用。

 

根据消息人士表示，由于 ASML 的 High NA EUV 曝光机产能每年约为 5 到 6 套，这代表着英特尔将获得所有的初始产能，所以包括三星和 SK 海力士则是预计将在 2025 年下半年之后才能获得该设备。
由于 High NA EUV 曝光机中的 NA 代表数值孔径，指的是光学系统收集和聚光的能力。数值越高，聚光的能力就越强 这相较于当前标准 EUV 曝光机的 0.33 数值孔径，新一代 EUV 设备的 NA 数值孔径直接增加到了 0.55，拥有 1.7 倍于目前标准 EUV 曝光机的密度，在2D 尺寸上可达到 190% 的密度提升。
现阶段英特尔晶圆代工旗下逻辑技术开发部门的曝光、硬体和解决方案主管曾强调，英特尔将于 2024 年底前将 High NA EUV 曝光机在 intel18A 制程技术上进行训练和开发工作，这部分包括对 High NA EUV 曝光机和标准 0.33 NA EUV 曝光机的混合使用进行测试，并在之后的 intel14A 节点制程上进入商业化量产。另外，还预计 High NA EUV 曝光机至少可在三节点的未来先进节点制程上沿用，进而将节点制程推进到埃米时代。
关于未来更先进曝光技术的发展，英特尔认为，将光线波长进一步缩短至 6.7nm，将会导入大量的新问题，包括更大的光学元件的发展。这也将比是 High NA EUV 曝光机更先进，具备更大的数值孔径的 Hyper NA EUV 的可能技术方向。英特尔认为，未来透过与 EDA 的厂商合作发展，可以整合技术进行开发，以方之后相关的使用。
报导强调，英特尔自 2021 年重回晶圆代工市场之后，需要比其竞争对手更快的采用 High NA EUV 曝光机来赢得客户的信任。不过，英特尔晶圆代工业务在 2023 年总计亏损了 70 亿美元 （约新台币 2,237 亿元），使得应这尔在该领域似乎还有很长的路要走。