市场看好AI需求 第二季DRAM合约价涨幅上修

机构原预估第2季DRAM合约价季涨幅将收敛到3%~8%，储存型快闪记忆体（NAND Flash）涨幅也减为13%~18%，但因市场看好AI需求，昨上修DRAM合约价涨幅达13%~18%，上修幅度达10个百分点，NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15%~20%，两大记忆体全线产品皆上涨，业界也看好下半年价格续涨。

机构原先预估，403地震发生前，第2季DRAM合约价季涨幅约3%~8%；NAND Flash涨幅13%~18%，较第1季涨幅明显收敛。当时合约价先行指标的现货价格已连续走弱，上涨动能低落、交易量降低，原因是除了AI以外，笔电、智慧型手机等终端需求不振，买方在手库存逐渐增高，两大记忆体已分别上涨2~3个季度，买方再接受大幅涨价的意愿消退。

但403地震后，业者接受合约价涨幅意愿提高，4月下旬，相关业者陆续完成新一轮合约价议价后，涨幅较原先预期扩大，机构同步上修第2季DRAM、NAND Flash合约价涨幅，除了反映买方欲支撑在手库存的价值，关键更包含供需两端对AI市场展望的考量。
高频宽记忆体（HBM）产能排挤效应已可看到，例如三星（Samsung）HBM3e产品采用1alpha制程节点，到2024年底将占用该制程产能约达6成，这将排挤DDR5供给量，尤以第3季HBM3e生产即将放量的时间点影响最大，经评估后，买方转而愿意在第2季提前备货，以因应第3季起可能出现的HBM供应短缺。
中国台湾记忆体模组厂十铨预期两大记忆体价格将持续往上涨，其中DDR5至少还有15%~25%的涨幅空间，DDR4待库存消化后，也将会跟涨，对今年营运乐观看待；中国台湾DRAM模组厂昨股价全面上扬，十铨、广颖再涨停，威刚、创见也强劲上涨。