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DRAM制造商扩大先进制程投资,HBM产能优先

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-05-21
由于HBM需求增加及先进制程的优先布局,DRAM供应可能面临短缺。
三大DRAM供应商对先进制程的扩展和HBM的优先生产反映了市场对高效能存储器需求的增长。然而,这也带来了潜在的供应链风险,特别是在DRAM市场。CMoney研究团队认为HBM的需求将随着AI发展持续增加,搭配上较低的良率,DRAM产能扩展很难跟上,因此可能会导致DRAM市场出现供应短缺,进而推动价格上涨。投资者应关注这一动态,特别是那些在先进制程、HBM和DRAM领域具有竞争优势的公司。

扩大先进制程投入
三大DRAM供应商正增加先进制程的晶圆投入。随着存储器合约价格上涨,企业提升资本支出,重点放在今年下半年扩产。预计到年底,1alpha nm及以上制程的晶圆投入将占总DRAM晶圆投入的约40%。

优先生产高利润的HBM
由于其高盈利性和需求增加,HBM生产将被优先考虑。然而,HBM的产量受限,良率仅约50-60%(较DRAM低30%左右),且所需晶圆面积比DRAM产品大60%,这意味着需要更多的晶圆投入。基于各公司的矽穿孔(TSV)产能,预计HBM到年底将占先进制程晶圆投入的35%,其余产能将用于生产LPDDR5(X)和DDR5产品。

HBM3e成为市场主流
HBM3e今年将成为市场主流,出货集中在下半年。目前,SK hynix是主要供应商,与美光(MU)共同利用1beta nm制程,已开始向Nvidia(NVDA)出货。三星则使用1alpha nm制程,预计第二季完成认证并于年中开始交付。

DDR5和LPDDR5(X)需求增长
除了HBM需求增加外,PC、伺服器和智能手机的单位存储器含量增长,推动了先进制程的消耗。伺服器特别是AI伺服器,存储器含量高达1.75 TB。随着英特尔(Intel)的Sapphire Rapids和AMD的Genoa等新平台的量产,DDR5渗透率预计在年底超过50%。

产能分配成关键
由于HBM3e出货集中在下半年,与存储器需求高峰期重合,市场对DDR5和LPDDR5(X)的需求也将增加。然而,2023年的财务损失使制造商在扩产计划上变得谨慎。由于更大比例的晶圆投入被分配给HBM生产,先进制程的输出将受到限制。因此,下半年产能分配将成为决定供应能否满足需求的关键。

DRAM供应短缺的潜在风险
HBM生产的优先考虑可能导致DRAM供应短缺。如果先进制程的产能扩展不足,这一风险将更为显著。目前,各公司新厂计划如下:三星预计现有设施到2024年底将全面运营,新的P4L厂房将于2025年完成,而Line 15设施将进行制程转换至1beta nm及以上。SK hynix的M16厂房产能预计明年扩展,M15X厂房也计划于2025年完成,并在明年年底开始量产。美光在台湾的设施将于明年恢复全面运营,未来扩展重点在美国。Boise设施预计2025年完成,随后安装设备并计划于2026年量产。
尽管新厂房计划于2025年完成,但量产的确切时间仍不确定,取决于2024年的盈利能力。这种对未来利润的依赖,强化了制造商今年维持存储器价格上涨的承诺。此外,英伟达的GB200计划于2025年量产,将搭载HBM3e 192/384 GB,有可能使HBM产量翻倍。随着HBM4的开发在即,如果没有重大投资来扩大产能,HBM的优先考虑可能导致DRAM供应因产能限制而不足。