HBM 供不应求美光大扩张！广岛新厂 2027年量产

HBM 供不应求美光大扩张！广岛新厂 2027年量产，中国台湾明年加入 HBM 量产厂区
先前日媒报导，存储器大厂美光计划于广岛兴建 DRAM 新厂，预定 2026 年初动工、最快 2027 年底前完成厂房建设、机台设备安装并投入营运。
根据业界消息，美光预计斥资 6,000 至 8,000 亿日圆建新厂，地点将紧邻已建成的 Fab15。新厂初期规划为 DRAM 晶圆厂，未包含后段封装及测试，产能将着重于 HBM 产品。
美光广岛新厂将首导入极紫外光（EUV）微影设备，生产由中国台湾和日本合作开发的新先进 1-Gamma 制程的 DRAM，后续也将导入 1-Delta 制程，因此 EUV 设备安装数量将大幅增加，并多加采用调高无尘室。
至于广岛 Fab 15 是 HBM 晶圆量产厂区，负责前段晶圆生产及矽穿孔（TSV）制程，后段堆叠及测试制程由中国台湾的台中后段厂负责。另有市场消息传出，随着 HBM 需求扩张，中国台湾 OMT（One Mega Taiwan）明年起将加入 HBM 晶圆量产厂区，投入晶圆生产及 TSV 制程。
机构指出，由于 HBM 市场需求蓬勃发展，且生产良率较低、晶粒尺寸较大等因素，相同位元产出的 HBM 相较 DDR5 约需消耗 3 倍投片量，且会排挤传统 DRAM 产能。
如果美光要加速 HBM 市场渗透，考虑到 2025 年产能已被客户预订一空，新厂建设需求势在必行。同时，美光计划到 2025 年 HBM 产品线市占率保持在 20％~25％水准，目标提高至与传统 DRAM 相当。
这次广岛新厂也获得日本政府补贴，日本经济产业省去年 10 月宣布将提供美光 1,920 亿日圆建厂及设备补贴，另针对生产成本最高补贴 88.7 亿日圆、研发成本最高补贴 250 亿日圆。