铠侠与闪迪联合发布第十代332层QLC 3D闪存 位元密度与接口速率同步跃升

在2026年8月4日美国圣克拉拉全球闪存峰会（FMS 2026）上，铠侠与闪迪共同展示第十代QLC 3D闪存技术。新品采用332层堆叠架构与优化平面布局，并沿用CMOS直接键合到阵列（CBA）工艺，将逻辑电路与存储阵列分晶圆制造后再高精度键合，相较第八代产品位元密度最高提升60%，突破37Gb/mm²；NAND接口速率通过Toggle DDR6.0与分离命令地址（SCA）协议推至4.8Gb/s，同时借助电源隔离低抽头终端（PI-LTT）技术降低I/O输出能耗。
两家公司技术负责人在发布中提及，生成式人工智能、智能体人工智能及物理人工智能等应用扩展了数据形态与访问模式，大容量、高带宽、低能耗的QLC闪存可作为AI训练、推理、云平台及超大规模数据中心的基础载体。目前第十代产品量产时间与最终商用规格尚未完全披露，实测性能仍可能因测试条件而异。CBA架构将CMOS逻辑与存储阵列解耦至不同晶圆，使逻辑侧可走更先进线宽、阵列侧专注垂直扩展，在制造端分别优化良率与微缩路径，在系统端缓解数据中心因容量扩张带来的空间、功耗与散热压力。